leshan 无线电 公司, 有限公司.
q1–1/7
最大 比率
(t
一个
= 2
5°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 Value 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 Vdc
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 2
5°
C
(1)
P
D
200 mW
减额 在之上 2
5°
C 1.6 mW
/°
C
热的 特性
比率 标识 Value 单位
热的 阻抗 — 接合面-至-包围的 (表面 挂载) R
θ
JA
625 °c/w
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–65 至 +150 °C
最大 温度 为 焊接 目的
T
L
260 °C
时间 在 焊盘 bath 10 秒
设备 标记 和 电阻 值
设备 标记 r1 (k) r2 (k)
MMUN2111LT1 一个6一个 10 10
MMUN2112LT1 一个6B 22 22
MMUN2113LT1 A6C 47 47
MMUN2114LT1 A6D 10 47
MMUN2115LT1
(2)
A6E 10
1. 设备 挂载 在 一个 fr-4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 这 最小 推荐 footprint.
2. 新 设备. updated 曲线 至 follow 在 subsequent 数据 薄板.
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
1
3
2
情况 318–08, 样式 6
sot– 23 (to–236ab)
偏差 电阻 晶体管
pnp 硅 表面 挂载 晶体管 和
大而单一的 偏差 电阻 网络
这个 新 序列 的 数字的 晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的 设备 和 它的
外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻 晶体管) 包含 一个 单独的 transis-
tor 和 一个 大而单一的 偏差 网络 consisting 的 二 电阻器; 一个 序列 根基 电阻 和 一个
根基-发射级 电阻.这 brt 排除 这些 单独的 组件 用 integrating 它们
在 一个 单独的 设备. 这 使用 的 一个 brt 能 减少 两个都 系统 费用 和 板 空间. 这
设备 是 housed 在 这 sot-23 包装 这个 是
设计 为 低 电源 表面 挂载 产品.
∗
使简化 电路 设计
∗
减少 板 空间
∗
减少 组件 计数
∗
这 sot-23 包装 能 是 焊接 使用 波 或者
软熔焊接. 这 修改 gull-winged leads absorb 热的
压力 在 焊接 eliminating 这 possibility 的
损坏 至 这 消逝.
∗
有 在 8 mm 压印浮凸 录音带 和 卷轴. 使用 这
设备 号码 至 顺序 这 7 inch/3000 单位 卷轴.
替代 “t1” 和 “t3” 在 这 设备 号码 至 顺序
这 13 inch/10,000 单位 卷轴
R1
R2
PIN3
集电级
(输出)
PIN1
根基
(输入)
PIN2
发射级
(地面)
8
pnp 硅
偏差 电阻
晶体管
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