首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:487616
 
资料名称:MPS6507
 
文件大小: 59.62K
   
说明
 
介绍:
Amplifier Transistor(NPN Silicon)
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号MPS6507的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
放大器 晶体管
npn 硅
最大 比率
比率 标识 单位
集电级发射级 电压 V
CEO
20 Vdc
集电级根基 电压 V
CBO
30 Vdc
发射级根基 电压 V
EBO
3.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
50 mAdc
总的 设备 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
625
5.0
mW
mw/
°
C
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
1.5
12
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储 接合面
温度 范围
T
J
, t
stg
55 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
(1)
200
°
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况
R
q
JC
83.3
°
c/w
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
集电级发射级 损坏 电压
(2)
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
20 Vdc
集电级根基 损坏 电压
(i
C
= 100
m
模数转换器, i
E
= 0)
V
(br)cbo
30 Vdc
发射级根基 损坏 电压
(i
E
= 100
m
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
3.0 Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= 15 vdc, i
E
= 0)
(v
CB
= 15 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 60
°
c)
I
CBO
50
1.0
nAdc
m
模数转换器
在 特性
直流 电流 增益
(2)
(i
C
= 2.0 madc, v
CE
= 10 vdc)
h
FE
25 75
small–signal 特性
current–gain — 带宽 产品
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 10 vdc, f = 100 mhz)
f
T
700 800 MHz
输出 电容
(v
CB
= 10 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
obo
1.25 2.5 pF
small–signal 电流 增益
(i
C
= 2.0 madc, v
CE
= 10 vdc, f = 20 mhz)
h
fe
20
1. R
q
JA
是 量过的 和 这 设备 焊接 在 一个 典型 打印 电路 板.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
v
300
m
s; 职责 循环
v
2.0%.
顺序 这个 文档
用 mps6507/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MPS6507
情况 29–04, 样式 1
to–92 (to–226aa)
1
2
3
motorola, 公司 1996
集电级
3
2
根基
1
发射级
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com