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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计者's 数据 薄板
TMOS e-场效应晶体管.
电源 地方 效应 晶体管
n–channel enhancement–mode 硅 门
这个一个dvanced high–voltage tMOs e–FEt is designedto
承受高 活力 在 这avalanche 模式 和 转变 efficiently.
这个新 高 活力 设备 也 的fers一个 drain–to–source 二极管
和f作t recovery time. designed for high voltage, high speed
切换一个pplications such 一个s power supplies, pWMmotor
控制,和 其它 inductive 负载, 这 avalanche 活力能力
是 指定 至eliminate 这 guesswork 在 设计 在哪里 inductive
负载一个re switched 一个nd offer 一个dditionalsafety margin 一个gainst
unexpected 电压 过往旅客.
•
avalanche 活力 能力 指定 在 提升
温度
•
低 贮存 门 承担 为 效率高的 切换
•
内部的 source–to–drain 二极管 设计 至 替代 外部
齐纳 瞬时 suppressor absorbs 高 活力 在 这
avalanche 模式
•
source–to–drain 二极管 恢复 时间 comparable 至
分离的 快 恢复 二极管
* 看app. 便条 an1327 — very 宽 输入 voltage 范围;
off–line flyback 切换 电源 供应
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
1200 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
1200 Vdc
gate–source 电压 — 持续的
gate–source 电压— non–repetitive (t
p
≤
50 ms)
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
流 电流 — 持续的 @ 25
°
C
流 电流— 持续的 @ 100
°
C
流 电流— 单独的 脉冲波 (t
p
≤
10
µ
s)
I
D
I
D
I
DM
3.0
2.2
11
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗
减额 在之上 25
°
C
P
D
125
1.0
Watts
w/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
– 55 至 150
°
C
unclamped drain–to–source avalanche 特性
(t
J
t
150
°
c)
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 100 vdc, v
GS
= 10 vdc, 顶峰 i
L
= 4.5 apk, l = 10 mh, r
G
= 25
Ω)
E
作
101
mJ
热的 特性
热的 阻抗 — 接合面 至 情况
热的 阻抗— 接合面 至 包围的
R
θ
JC
R
θ
JA
1.0
62.5
°
c/w
最大 含铅的 temperature 为 焊接 目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒 T
L
260
°
C
e–fet 和 设计者’s 是 商标 的 motorola, 公司
tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola, 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
rev 1
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
顺序 这个 文档
用 mtp3n120e/d
motorola, 公司 1995
MTP3N120E
tmos 电源 场效应晶体管
3.0 amperes
1200 伏特
R
ds(在)
= 5.0 ohm
motorola preferred 设备
D
S
G
情况 221a–06, 样式 5
TO–220AB
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