leshan 无线电 公司, 有限公司.
mun2211t1 series–1/11
偏差 电阻 晶体管
npn 硅 表面 挂载 晶体管
和 大而单一的 偏差 电阻 网络
1
3
2
MUN2211T1
序列
SC–59
情况 318d, 样式 1
最大 比率
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 Vdc
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 P
D
230(便条 1) mW
T
一个
= 25°c 338(便条 2)
减额 在之上 25°c 1.8 (便条 1) °c/w
2.7 (便条 2)
热的 阻抗 – R
θ
JA
540(便条 1) °c/w
接合面-至-包围的 370(便条 2)
热的 阻抗 – R
θ
JL
264(便条 1) °c/w
接合面-至-含铅的 287(便条 2)
接合面 和 存储 T
J
, t
stg
–55 至 +150 °C
温度 范围
1. fr–4 @ 最小 垫子
2. fr–4 @ 1.0 x 1.0 inch 垫子
管脚 2
根基
(输入)
管脚 3
集电级
(输出)
管脚 1
发射级
(地面)
R
1
R
2
标记 图解
8X M
8X = 明确的 设备 code*
M = 日期 代号
这个 新 序列 的 数字的 晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的 设备 和
它的 外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻 晶体管) 包含 一个
单独的 晶体管 和 一个 大而单一的 偏差 网络 consisting 的 二 电阻器; 一个
序列 根基 电阻 和 一个 base–emitter 电阻. 这 brt 排除 这些 indi-
vidual 组件 用
integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 这 使用 的 一个 brt 能 减少 两个都 系统
费用 和 板 空间. 这 设备 是 housed 在 这 sc–59 包装 这个 是
设计 为 低 电源 表面 挂载 产品.
• 使简化 电路 设计
• 减少 板 空间
• 减少 组件 计数
• 潮气 敏锐的 水平的: 1
• 静电释放 比率 – 人 身体 模型: 类 1
静电释放 比率– 机器 模型: 类 b
• 这 sc–59 包装 能 是 焊接 使用 波 或者 软熔焊接. 这 修改
gull–winged leads absorb 热的 压力 在 焊接 eliminating 这
possibility 的 损坏 至 这 消逝.
• 有 在 8 mm 压印浮凸 录音带 和 卷轴
使用 这 设备 号码 至 顺序 这 7 inch/3000 单位 卷轴.
设备 标记 信息
*see 明确的 标记 信息 在 这 设备 标记 表格 在 页 2 的 这个 数据 薄板.
npn 硅
偏差 电阻
晶体管
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