技术的 数据
低 电源 npn 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/391
设备 qualified 水平的
2N3019
2N3019S
2N3057A 2N3700
2N3700S
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
最大 比率
比率 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
80 Vdc
集电级-根基 电压
V
CBO
140 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
7.0 Vdc
集电级 电流
I
C
1.0 模数转换器
总的 电源 消耗
@ t
一个
= +25
0
C
(1)
2n3019; 2n3019s
2N3057A
2N3700
2N3700UB
@ t
C
= +25
0
C
(2)
2n3019; 2N3019S
2N3057A
2N3700
2N3700UB
P
T
0.8
0.4
0.5
0.4
5.0
1.8
1.8
1.16
W
W
运行 &放大; 存储 jct 温度 范围
T
J
,
T
stg
-55 至 +175
0
C
1)减额 成直线地 4.6 mw/
0
c 为 类型 2n3019 和 2n3019s; 2.3 mw/
0
c 为 类型 2n3057a;
2.85 mw/
0
C为 类型 2n3700; 6.6 mw/
0
c 为 类型 2n3700ub 为 t
一个
≥
+25
0
c.
2)减额 成直线地 28.6 mw/
0
c 为 类型 2n3019 和 2n3019s;
10.3 mw/
0
c 为 类型 2n3057a, 2n3700, &放大; 2n3700ub 为 t
C
≥
+25
0
c.
至-39* (至-205ad)
2n3019, 2n3019s
至-18* (至-206aa)
2N3700
至-46* (至-206ab)
2N3057A
3 管脚表面 挂载*
2N3700UB
*see 附录 一个 为 包装
外形
电的 特性 (t
一个
= 25
0
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
Collector-根基 损坏 电压
I
C
= 100
µ
模数转换器
V
(br)
CBO
140 Vdc
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 100
µ
模数转换器
V
(br)
EBO
7.0 Vdc
集电级-发射级 损坏 电流
I
C
= 30 madc
V
(br)
CEO
80 Vdc
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
120101
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