april 1999 5-43
stk14c88-m
32k x 8
AutoStore
™ nvSRAM
QuantumTrap
™ CMOS
nonvolatile 静态的 内存
mil-标准-883
特性
• nonvolatile 存储 没有 电池 问题
• 35ns 和 45ns 进入 时间
• “hands-off” 自动
STORE
和 外部
68
µ
f 电容 在 电源 向下
•
STORE
至 可擦可编程只读存储器 initiated 用 硬件,
软件 或者
AutoStore
™ 在 电源 向下
•
RECALL
至 sram initiated 用 软件 或者
电源 restore
• 10ma 典型 i
CC
在 200ns 循环 时间
• unlimited 读, 写 和
RECALL
循环
• 100,000
STORE
循环 至 可擦可编程只读存储器
• 10-年 数据 保持 在 可擦可编程只读存储器
• 单独的 5v
+ 10% 运作
• 不 敏感的 至 电源 开关 ramp 比率
• 非 数据 丧失 从 undershoot
• 32-垫子 lcc 和 32-管脚 300 mil cdip 包装
描述
这 Simtek stk14c88-m 是 一个 快 静态的
内存
和 一个
nonvolatile, 用电气 可擦掉的
PROM
元素
组成公司的 在 各自 静态的 记忆 cell. 这
SRAM
能 是 读 和 写 一个 unlimited 号码 的
时间, 当 独立 nonvolatile 数据 resides 在
可擦可编程只读存储器
. 数据 transfers 从 这
SRAM
至 这
可擦可编程只读存储器
(这
STORE
运作) 能 引领 放置 自动-
matically 在 电源 向下. 一个 68
µ
F 或者 大 电容
系 从 V
CAP
至 地面 guarantees 这
STORE
运作, regardless 的 电源-向下 回转 比率 或者
丧失 的 电源 从 “hot swapping”. Transfers 从
这
可擦可编程只读存储器
至 这
SRAM
(这
RECALL
运作)
引领 放置 automatically 在 restoration 的 电源. ini-
tiation 的
STORE
和
RECALL
循环 能 也 是
软件 控制 用 进去 specific 读
sequences. 一个 硬件
STORE
将 是 initiated 和
这
hsb 管脚.
块 图解
一个
0
一个
1
一个
2
一个
3
一个
4
一个
10
column i/o
column dec
静态的 内存
排列
512 x 512
行 解码器
输入 缓存区
可擦可编程只读存储器 排列
512 x 512
store/
RECALL
控制
STORE
RECALL
电源
控制
一个
5
一个
6
一个
7
一个
8
一个
9
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
软件
发现
G
E
W
HSB
V
CCX
V
CAP
一个
0
- 一个
13
管脚 配置
管脚 names
一个
0
- 一个
14
地址 输入
DQ
0
-dq
7
数据 在/输出
E 碎片 使能
W 写 使能
G 输出 使能
HSB 硬件 store busy (i/o)
V
CCX
电源 (+ 5v)
V
CAP
电容
V
SS
地面
32 300 mil 插件
9
7
8
10
11
LCC
32
SS
V
7
DQ
E
31
8
W
3
一个
一个
4
27
一个
DQ
7
CCX
29
V
1
一个
一个
14
23
5
20
ADQ
25
8
一个
7
26
6
4
一个
12
DQ
5
DQ
2
6
一个
CAP
HSB
13
32
2
NC
10
9
13
16
一个
一个
一个
15
9
4
一个
14
11
28
21
10
5
2
0
19
113
6
1
1
30
3
DQ
V
DQ
一个
G
24
22
17
一个
NC
18
12
DQ
0
15
一个
4
W
DQ
DQ
一个
2
13
NC
1
3
8
17
G
7
26
DQ
16
9
5
1
HSB
一个
18
22
12
一个
23
4
一个
27
V
5
SS
DQ
0
7
一个
1
0
CAP
3
28
13
6
14
DQ
6
10
5
24
20DQ
一个
V
一个
29
CCX
DQ
一个
一个
19
6
一个
12
一个
一个
V
DQ
31
25
2
2
E
30
一个
NC
4
32
14
11
3
一个
21
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