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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
高 电压 晶体管
pnp 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
– 300 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
–300 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
– 5.0 Vdc
集电级 电流 I
C
– 500 mAdc
总的 电源 消耗 向上 至 t
一个
= 25
°
C
(1)
P
D
1.5 Watts
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
接合面 温度 T
J
150
°
C
设备 标记
P2D
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的
(1)
R
θ
JA
83.3
°
c/w
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= –1.0 madc, i
B
= 0) V
(br)ceo
– 300 — Vdc
collector–base 损坏 电压 (i
C
= –100
µ
模数转换器, i
E
= 0) V
(br)cbo
– 300 — Vdc
emitter–base 损坏 电压 (i
E
= –100
µ
模数转换器, i
C
= 0) V
(br)ebo
– 5.0 — Vdc
collector–base 截止 电流 (v
CB
= – 200 vdc, i
E
= 0) I
CBO
— – 0.25
µ
模数转换器
emitter–base 截止 电流 (v
是
= – 3.0 vdc, i
C
= 0) I
EBO
— – 0.1
µ
模数转换器
在 特性
直流 电流 增益
(2)
(i
C
= – 1.0 madc, v
CE
= – 10 vdc)
(i
C
= –10 madc, v
CE
= – 10 vdc)
(i
C
= – 30 madc, v
CE
= – 10 vdc)
h
FE
25
40
25
—
—
—
—
饱和 电压
(i
C
= –20 madc, i
B
= –2.0 madc)
(i
C
= –20 madc, i
B
= –2.0 madc)
V
ce(sat)
V
是(sat)
—
—
– 0.5
– 0.9
Vdc
动态 特性
collector–base 电容 @ f = 1.0 mhz (v
CB
= –20 vdc, i
E
= 0) C
cb
— 6.0 pF
current–gain — 带宽 产品
(i
C
= –10 madc, v
CE
= – 20 vdc, f = 100 mhz)
f
T
50 — MHz
1. 设备 挂载 在 一个 glass 环氧的 打印 电路 板 1.575 在. x 1.575 在. x 0.059 in.; 挂载 垫子 为 这 集电级 含铅的 最小值 0.93 在
2
.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s; 职责 循环 = 2.0%.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 pzta92t1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1997
PZTA92T1
motorola preferred 设备
情况 318e–04, 样式 1
TO–261AA
1
2
3
4
sot–223 包装
pnp 硅
高 电压 晶体管
表面 挂载
集电级 2,4
根基
1
发射级 3
rev 2
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