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rb085t-60
二极管
rev.一个 1/3
肖特基 屏障 二极管
rb085t-60
1.2
1.3
0.8
2.54±0.52.54±0.5
(1) (2) (3)
7.2
φ3.1±0.1
φ1.2
7.0±0.3
　　　 0.1
10.0±0.3
　　　 0.1
5.0±0.2 8.0±0.2
12.0±0.2
17.0±0.4
0.2
1.8±0.2
2.8±0.2
　　　 0.1
4.5±0.3
　　　 0.1
0.7±0.015
2.6±0.03
13.5min
8.0
15.0
1.1
7.2
7.0
0.8
1.6
12.4
3-φ1.2
1.35
0.7±0.015
2.6±0.03
1.9
9.9
2.2
0.8
10.0
0.3
①
rohm : Ｔo220fn
①
制造 日期
z
产品
z
外部 维度
(单位 : mm)
z
结构
切换 电源 供应
z
特性
1)
cathode 一般 类型.
(至-220)
2) 低 i
R
3) 高 可靠性
z
构建
硅 外延的 planar
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
标识 单位
V
RM
V
V
R
V
Io
一个 10
一个
I
FSM
一个
Tj
℃
Tstg
℃
存储 温度 -40 至 +150
(*1)tc=100
℃
最大值   每 碎片 : io/2
向前 电流 surge 顶峰
（
60Hz
・
1cyc
）（
*1
）
100
接合面 温度 150
反转 电压 (直流) 60
verage 调整的 向前 电流
（
*1
）
参数 限制
反转 电压 (repetitive 顶峰) 60
z
电的 典型的
(ta=25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
向前 电压
V
F
--0.58v
I
F
=5A
eserve 电流
I
R
--300µa
V
R
=60V
热的 阻抗
θ
jc - -
2.5
℃
/w 接合面 至 情况
参数
R

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rb085t-60 二极管 rev.一个 1/3 肖特基屏障二极管 rb085t-60 1.2 1.3 0.8 2.54±0.52.54±0.5 (1) (2) (3) 7.2 φ3.1±0.1 φ1.2 7.0±0.3 　　　 0.1 10.0±0.3 　　　 0.1 5.0±0.2 8.0±0.2 12.0±0.2 17.0±0.4 0.2 1.8±0.2 2.8±0.2 　　　 0.1 4.5±0.3 　　　 0.1 0.7±0.015 2.6±0.03 13.5min 8.0 15.0 1.1 7.2 7.0 0.8 1.6 12.4 3-φ1.2 1.35 0.7±0.015 2.6±0.03 1.9 9.9 2.2 0.8 10.0 0.3 ① rohm : Ｔo220fn ① 制造日期 z 产品 z 外部维度 (单位 : mm) z 结构切换电源供应 z 特性 1) cathode 一般类型. (至-220) 2) 低 i R 3) 高可靠性 z 构建硅外延的 planar z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) 标识单位 V RM V V R V Io 一个 10 一个 I FSM 一个 Tj ℃ Tstg ℃ 存储温度 -40 至 +150 (1)tc=100 ℃ 最大值每碎片 : io/2 向前电流 surge 顶峰（ 60Hz ・ 1cyc ）（ 1 ） 100 接合面温度 150 反转电压 (直流) 60 verage 调整的向前电流（ *1 ）参数限制反转电压 (repetitive 顶峰) 60 z 电的典型的 (ta=25 ° c) 标识最小值典型值最大值单位情况向前电压 V F --0.58v I F =5A eserve 电流 I R --300µa V R =60V 热的阻抗 θ jc - - 2.5 ℃ /w 接合面至情况参数 R

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