rgf1a-rgf1m
rgf1a-rgf1m, rev. e
rgf1a - rgf1m
1.0 ampere 快 恢复 整流器
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
**
设备 挂载 在 fr-4 pcb 0.013 mm.
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
1998 仙童 半导体 国际的
特性
•
glass 钝化的 接合面.
•
为 表面 挂载 应用.
•
低 向前 电压 漏出.
•
高 电流 能力.
•
容易 挑选 和 放置.
•
高 surge 电流 能力.
sma/做-214ac
颜色 带宽 denotes cathode
标识 参数 值 单位
I
O
平均 调整的 电流
@ t
L
= 125
°
C
1.0 一个
i
f(surge)
顶峰 向前 surge 电流
8.3 ms 单独的 half-sine-波
superimposed 在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
30 一个
P
D
总的 设备 消耗
减额 在之上 25
°
C
1.76
11.7
W
mw/
°
C
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 ** 85
°
c/w
R
θ
JL
热的 阻抗, 接合面 至 lead** 28
°
c/w
T
stg
存储 温度 范围 -65 至 +175
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -65 至 +175
°
C
参数 设备 单位
1A 1B 1D 1G 1J 1K 1M
顶峰 repetitive 反转 电压
50 100 200 400 600 800 1000 V
最大 rms 电压
35 70 140 280 420 560 700 V
直流 反转 电压 (评估 v
R
)
50 100 200 400 600 800 1000 V
最大 反转 电流
@ 评估 v
R
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 125
°
C
5.0
100
µ
一个
µ
一个
最大 向前 电压 @ 1.0 一个
1.3 V
最大 反转 恢复 时间
I
F
= 0.5 一个, i
R
= 1.0 一个, i
rr
= 0.25 一个
150 250 500 nS
典型 接合面 电容
V
R
= 4.0 v, f = 1.0 mhz
8.5 pF
2
1
0.208 (5.283)
0.188 (4.775)
0.181 (4.597)
0.157 (3.988)
0.096 (2.438)
0.078 (1.981)
0.062 (1.575)
0.055 (1.397)
0.008 (0.203)
0.002 (0.051)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.524)
0.030 (0.762)
0.114 (2.896)
0.098 (2.489)
+
3.93
3.73
1.67
1.47
2.38
2.18
5.49
5.29
最小 推荐
地带 模式
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