绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 ( v
是
= 0 )
700 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 ( i
B
= 0 )
400 V
V
EBO
发射级-根基 电压 ( i
C
= 0 )
9.0 V
I
C
集电级 电流 4.0 一个
I
CM
集电级 顶峰 电流
( t
P
＜
5 ms
)
8.0 一个
I
B
根基 电流 2.0 一个
I
BM
根基 顶峰 电流
( t
P
＜
5 ms
)
4.0 一个
P
C
总的 消耗 在 t
C
= 25 °c
75 W
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150 °C
T
J
最大值 运行 接合面 温度 150 °C
热的 特性
标识 参数 值 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 1.67 °c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 62.5 °c/w
SBP13005
oct, 2002. rev. 1 1/6
cc
特性
◆
非常 高 切换 速 (典型 70ns@2.0a)
◆
最小 lot-至-lot h
FE
Vari一个tion
◆
低 v
ce(sat)
(典型 180mv@2.0a/0.5a)
◆
宽 反转 偏差 s.o.一个
一般 描述
这个 设备 是 设计 为 高 电压, 高 速 转变-
ing 典型的 必需的 此类作 lighting 系统, 切换
调整器, 反相器 和 deflection 电路.
高 电压 快-切换 npn 电源 晶体管
2.集电级
3.发射级
1.根基
标识
○
○
○
至-220
1
2
3
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