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资料编号:600921
 
资料名称:SD103BWS-T1
 
文件大小: 41.25K
   
说明
 
介绍:
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
 
 


: 点此下载
 
1
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2
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sd103aws – sd103cws 1 的 3 © 2002 won-顶 electronics
sd103aws – sd103cws
表面 挂载 肖特基 屏障 二极管
特性
!
低 转变-在 电压
!
快 切换 一个
!
pn 接合面 守卫 环绕 为 瞬时 和
静电释放 保护
!
设计 为 表面 挂载 应用 c
!
塑料 材料 – ul recognition flammability d
分类 94v-o b

E
机械的 数据
!
情况: sod-323, 模塑的 塑料
!
mil-标准-202, 方法 208
!
极性: cathode 带宽
!
重量: 0.004 grams (approx.)
!
标记: sd103aws s6 h
SD103BWS S7
SD103CWS S8
最大 比率
@T
一个
=25°c 除非 否则 指定
典型的 标识 SD103AWS SD103BWS SD103CWS 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
40 30 20 V
向前 持续的 电流 (便条 1) I
F
350 毫安
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流 @ t < 1.0s I
FSM
2.0 一个
电源 消耗 (便条 1) P
d
200 mW
典型 热的 阻抗, 接合面 至 包围的 空气 (便条 1) R
JA
625 °c/w
运行 和 存储 温度 范围 T
j
, t
STG
-55 至 +125 °C
电的 特性
@T
一个
=25°c 除非 否则 指定
典型的 标识 所有 类型 单位 测试 情况
反转 损坏 电压
SD103AWS
SD103BWS
SD103CWS
V
(br)r
40
30
20
v @ i
R
= 10µa, t
p
< 300µs
向前 电压 漏出 V
FM
0.37
0.60
V
@ i
F
= 20ma
@ i
F
= 200ma
顶峰 反转 泄漏 电流 I
RM
5.0 µA @ 评估 直流 blocking 电压
典型 接合面 电容 C
j
50 pF V
R
= 0v, f = 1.0mhz
典型 反转 恢复 时间 t
rr
10 nS
I
F
= i
R
= 200ma
I
RR
= 0.1 x i
R
, r
L
= 100
便条: 1. 有效的 提供 那 terminals 是 保持 在 包围的 温度.
WTE
电源 半导体
sod-323
Dim 最小值 最大值
一个
2.30 2.70
B
1.75 1.95
C
1.15 1.35
D
0.25 0.35
E
0.05 0.15
G
0.70 0.95
H
0.30
所有 维度 在 mm
G
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