©2002 仙童 半导体 公司 sgh30n60rufd rev. b1
IGBT
SGH30N60RUFD
SGH30N60RUFD
短的 电路 评估 igbt
一般 描述
仙童's rufd 序列 的 insulated 门 双极
晶体管 (igbts) 提供 低 传导 和 切换
losses 作 好 作 短的 电路 强壮. 这 rufd
序列 是 设计 为 产品 此类 作 发动机 控制,
uninterrupted 电源 供应 (ups) 和 一般 反相器
在哪里 短的 电路 强壮 是 一个 必需的 特性.
特性
• 短的 电路 评估 10us @ t
C
= 100
°
c, v
GE
= 15v
• 高 速 切换
• 低 饱和 电压 : v
ce(sat)
= 2.2 v @ i
C
= 30a
• 高 输入 阻抗
• co-pak, igbt 和 frd : t
rr
= 50ns (典型值.)
绝对 最大 比率
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
注释 :
(1) repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度
热的 特性
标识 描述 SGH30N60RUFD 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 600 V
V
GES
门-发射级 电压
±
20 V
I
C
集电级 电流 @
T
C
=
25
°
C48 一个
集电级 电流 @
T
C
= 100
°
C30 一个
I
cm (1)
搏动 集电级 电流 90 一个
I
F
二极管 持续的 向前 电流 @
T
C
=
100
°
C25 一个
I
FM
二极管 最大 向前 电流 220 一个
T
SC
短的 电路 承受 时间 @
T
C
=100
°
C10 美国
P
D
最大 电源 消耗 @ t
C
=
25
°
C 235 W
最大 电源 消耗 @ t
C
= 100
°
C90 W
T
J
运行 接合面 温度 -55 至 +150
°
C
T
stg
存储 温度 范围 -55 至 +150
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8” 从 情况 为 5 秒
300
°
C
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
(igbt) 热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 0.53
°
C
/
W
R
θ
JC
(二极管) 热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 0.83
°
C
/
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 -- 40
°
C
/
W
产品
交流 &放大; 直流 发动机 控制, 一般 目的 反相器, robotics, 和 伺服 controls.
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C
E
至-3p
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