Si1555DL
vishay siliconix
文档 号码: 71079
s-21374—rev. c, 12-8月-02
www.vishay.com
1
Complementary低-门槛 场效应晶体管 一双
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.385 @ v
GS
= 4.5 v
0.70
n-频道 20
0.630 @ v
GS
= 2.5 v
0.54
0.600 @ v
GS
= -4.5 v
0.60
p-频道 -8
0.850 @ v
GS
= -2.5 v
0.50
1.200 @ v
GS
= -1.8 v
0.42
sot-363
sc-70 (6-leads)
6
4
1
2
3
5
顶 视图
S
1
G
1
D
2
D
1
G
2
S
2
标记 代号
RB XX
lot traceability
和 日期 代号
部分 # 代号
YY
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
n-频道 p-频道
参数 标识
5 secs 稳步的 状态 5 secs 稳步的 状态
单位
流-源 电压 V
DS
20 -8
门-源 电压 V
GS
12
8
V
T
一个
= 25
C
0.70
0.66
0.60
0.57
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
0.50
0.48
0.43
0.41
搏动 流 电流 I
DM
1.0
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
0.25 0.23 -0.25 -0.23
T
一个
= 25
C 0.30 0.27 0.30 0.27
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
0.16 0.14 0.16 0.14
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
t
5 秒 360 415
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
400 460
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
300 350
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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