Si1304DL-T1_集成电路资料查询网

Si1304DL
vishay siliconix
文档 号码:  71315
s-41774—rev. c, 04-oct-04
www.vishay.com
1
n-频道 25-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(

) I
D
(一个) Q
g
(典型值)
25
0.350 @ v
GS
=  4.5  v
0.75
13
25
0.450 @ v
GS
=  2.5   v 0.66
1.3
标记 代号
KB XX
lot traceability
和 日期 代号
部分 # 代号
YY
订货 信息:  si1304dl-t1
sot-323
sc-70 (3-leads)
1
2
3
顶 视图
G
S
D
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25

c 除非 否则 指出)
参数 标识 5 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
25
V
门-源 电压 V
GS

8
V
持续的 流 电流
(t
J
=150

c)
一个
T
一个
= 25

C
I
D
0.75
0.70
Continuous dra在Current
(t
J
=150

c)
一个
T
一个
= 70

C
I
D
0.60 0.56
一个
搏动 流 电流 I
DM
3.0
一个
持续的 二极管 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
0.28 0.24
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25

C
P
D
0.33 0.29
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70

C
P
D
0.21 0.19
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150

C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t

5 秒
R
315 375
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
380 450

c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
285 340
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.

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Si1304DL vishay siliconix 文档号码: 71315 s-41774—rev. c, 04-oct-04 www.vishay.com 1 n-频道 25-v (d-s) 场效应晶体管产品SUMMARY V DS (v) r ds(在) (  ) I D (一个) Q g (典型值) 25 0.350 @ v GS = 4.5 v 0.75 13 25 0.450 @ v GS = 2.5 v 0.66 1.3 标记代号 KB XX lot traceability 和日期代号部分 # 代号 YY 订货信息: si1304dl-t1 sot-323 sc-70 (3-leads) 1 2 3 顶视图 G S D 绝对最大比率 (t 一个 = 25  c 除非否则指出) 参数标识 5 secs 稳步的状态单位流-源电压 V DS 25 V 门-源电压 V GS  8 V 持续的流电流 (t J =150  c) 一个 T 一个 = 25  C I D 0.75 0.70 Continuous dra在Current (t J =150  c) 一个 T 一个 = 70  C I D 0.60 0.56 一个搏动流电流 I DM 3.0 一个持续的二极管电流 (二极管传导) 一个 I S 0.28 0.24 最大电源消耗一个 T 一个 = 25  C P D 0.33 0.29 W最大电源消耗一个 T 一个 = 70  C P D 0.21 0.19 W 运行接合面和存储温度范围 T J , t stg − 55 至 150  C 热的阻抗比率参数标识典型最大单位 Mi J 德州仪器 tAbit 一个 t  5 秒 R 315 375 最大接合面-至-包围的一个稳步的状态 R thJA 380 450  c/w 最大接合面-至-foot (流) 稳步的状态 R thJF 285 340 c/w 注释一个. 表面挂载在 1” x 1” fr4 板.

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