特性
TrenchFET
gen ii 电源 场效应晶体管
产品
高-一侧 直流/直流 转换
−
Notebook
−
Desktop
−
Server
notebook 逻辑 直流/直流, 低-一侧
Si4348DY
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72790
s-40438—rev.一个, 15-三月-04
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
30
0.0125 @ v
GS
= 10 v 11
30
0.014 @ v
GS
= 4.5 v 10
所以-8
SD
SD
SD
GD
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
订货 信息: si4348dy—e3 (含铅的 自由)
Si4348DY-t1—e3 (含铅的 自由 和 录音带 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
30
V
门-源 voltage V
GS
12
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
11 8.0
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
8.9 6.5
一个
搏动 流 电流 I
DM
40
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
2.2 1.20
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.5 1.31
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.6 0.84
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
43 50
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
74 95
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
19 25
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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