sm12gz47,sm12jz47,sm12gz47a,sm12jz47a
2001-07-10
1
toshiba bi
−
directional triode thyristor 硅 planar 类型
sm12gz47,sm12jz47,sm12gz47a,sm12jz47a
交流 电源 控制 产品
repetitive 顶峰 止
−
状态 电压 :V
DRM
= 400, 600v
r.m.s 在
−
状态 电流 :I
t (rms)
=
1
2A
高 commutating (dv / dt)
分开 电压 :V
Isol
=
1
500v 交流
最大 比率
典型的 标识 比率 单位
SM12GZ47
SM12GZ47A
400
repetitive 顶峰
止
−
状态 电压 和
repetitive 顶峰
反转 电压
SM12JZ47
SM12JZ47A
V
DRM
600
V
r. m. s. 在
−
tate 电流
(全部 sine 波形 tc = 72°c)
I
t (rms)
12 一个
120 (50hz)
顶峰 一个 cylce surge 在
−
状态
电流 (非
−
repetitive)
I
TSM
132 (60hz)
一个
I
2
t 限制 值 I
2
t 72 一个
2
s
核心的 比率 的 上升 的 在-状态
电流 (便条 1)
di / dt 50 一个 / µs
顶峰 门 电源 消耗 P
GM
5 w
平均 门 电源 消耗 P
g (av)
0.5 W
顶峰 门 电压 V
FGM
10 v
顶峰 门 电流 I
GM
2 一个
接合面 温度 T
j
−
40~125 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
40~125 °c
分开 电压 (交流, t = 1min.) V
Isol
1500 v
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 13
−
10H1A
重量: 1.7g
便条 1: di / dt 测试 情况
V
DRM
= 0.5 × 评估
I
TM
≤
17A
t
gw
≥
10µs
t
gr
≤
250ns
i
gp
= i
GT
× 2.0
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