©2002 仙童 半导体 公司 rev. a3, 将 2002
SS9014
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 比率 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 50 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 45 V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 100 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 450 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
=100
µ
一个, i
E
=0 50 V
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
=1ma, i
B
=0 45 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
=100
µ
一个, i
C
=0 5 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=50v, i
E
=0 50 nA
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
=5v, i
C
=0 50 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=5v, i
C
=1mA 60 280 1000
V
CE
(sat) 集电级-根基 饱和 电压 I
C
=100ma, i
B
=5mA 0.14 0.3
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
=100ma, i
B
=5mA 0.84 1.0 V
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
=5v, i
C
=2mA 0.58 0.63 0.7 V
C
ob
输出 电容 V
CB
=10v, i
E
=0
f=1MHz
2.2 3.5 pF
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
=5v, i
C
=10mA 150 270 MHz
NF 噪音 图示 V
CE
=5v, i
C
=0.2ma
f=1khz, r
S
=2K
Ω
0.9 10 dB
分类 一个 B C D
h
FE
60 ~ 150 100 ~ 300 200 ~ 600 400 ~ 1000
1. 发射级 2. 根基 3. 集电级
SS9014
前-放大器, 低 水平的 &放大; 低 噪音
• 高 总的 电源 消耗. (p
T
=450mw)
• 高 h
FE
和 好的 线性
• complementary 至 ss9015
至-92
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