1/10june 2001
STD4NB40
std4nb40-1
n-频道 400v - 1.47
Ω
- 4a dpak/ipak
powermesh™ 场效应晶体管
■
典型 r
DS
(在) = 1.47
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
100% avalanche 测试
■
门 承担 使减少到最低限度
■
增加 后缀 “t4” 为 订货 在 录音带 &放大;
卷轴
描述
使用 这 最新的 高 电压 mesh overlay™
处理, 意法半导体 有 设计 一个 ad-
vanced 家族 的 电源 mosfets 和 优秀的
performances. 这 新 专利权 pending strip 布局
结合 和 这 公司’s proprieraty 边缘 termi-
nation 结构, 给 这 最低 r
ds(在)
每 范围,
exceptional avalanche 和 dv/dt 能力 和
unrivalled 门 承担 和 切换 characteris-
tics.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
swith 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-直流 转换器 为 电信,
工业的, 和 lighting 设备
绝对 最大 比率
(•)脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STD4NB40 400 v < 1.8
Ω
4 一个
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
400 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
400 V
V
GS
门- 源 电压
± 30 V
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 25°c
4A
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 100°c
2.52 一个
I
DM
(
●
)
流 电流 (搏动) 16 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
60 W
减额 因素 0.47 w/°c
dv/dt (1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 4 v/ns
T
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150 °C
(1) i
SD
≤
4a, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, v
DD
≤
V
(br)dss
, tj
≤
T
jMAX
内部的 图式 图解
1
3
至-252
DPAK
3
2
1
IPAK
至-251
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