STD19NE06L
N - 频道 60V - 0.038
Ω
- 19A - 至-251/至-252
STripFET
电源 场效应晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 0.038
Ω
■
100% AVALANCHE 测试
■
低 门 承担
■
应用 朝向
描绘
■
增加 后缀 ”T4” 为 订货 在 录音带
&放大; 卷轴
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新的 开发 的
意法半导体 唯一的 ”Single 特性
大小
” strip-为基础 处理. 这 结果 transi-
贮存 显示 极其 高 包装 密度 f或者 低
在-阻抗, 坚毅的 avalanche 特性
和 较少 核心的 排成直线 步伐 因此 一个 re-
markable 制造 reproducibility.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
SOLENOID 和 接转 驱动器
■
发动机 控制, 音频的 放大器
■
直流-直流 &放大; 直流-交流 转换器
内部的 图式 图解
二月 1999
绝对 最大 比率
Symbol 参数 值 单位
V
DS
Drain-s我们的ce Voltage (v
GS
=0) 60 V
V
DGR
流- gate 电压 (r
GS
=20k
Ω
)60v
V
GS
门-源 电压
±
20 V
I
D
流 Current (continuous) 在 T
c
=25
o
C19A
I
D
流 Current (continuous) 在 T
c
=100
o
C13A
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 76 一个
P
tot
总的 消耗 在 T
c
=25
o
C45W
减额 Fact或者 0.3 W/
o
C
T
stg
存储 Temperature -65 至 175
o
C
T
j
最大值. 运行 Junction 温度 175
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(o n)
I
D
STD19NE06L 60 V < 0.05
Ω
19 一个
3
2
1
IPAK
至-251
(后缀 ”-1”)
1
3
DPAK
至-252
(后缀 ”t4”)
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