1/11将 2002
.
STB30NF10
stp30nf10 stp30nf10fp
n-频道 100v - 0.038
Ω
- 35a 至-220/至-220fp/d
2
PAK
低 门 承担 stripfet™ ii 电源 场效应晶体管
■
典型 r
DS
(在) = 0.038
Ω
■
exceptional dv/dt 能力
■
100% avalanche 测试
■
应用 朝向
描绘
■
表面-挂载 d
2
pak (至-263)
电源 包装 在 tube (非 后缀) 或者
在 录音带 &放大; 卷轴 (后缀 “t4”)
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新的 开发 的
stmicroelectronis 唯一的 "单独的 特性 size™"
strip-为基础 处理. 这 结果 晶体管
显示 极其 高 包装 密度 为 低 在-
阻抗, 坚毅的 avalanche 特性 和
较少 核心的 排成直线 步伐 因此 一个 remark-
能 制造 reproducibility.
产品
■
高-效率 直流-直流 转换器
■
ups 和 发动机 控制
类型
V
DSS
R
ds(在)
I
D
STB30NF10
STP30NF10
STP30NF10FP
100 v
100 v
100 v
<0.045
Ω
<0.045
Ω
<0.045
Ω
35 一个
35 一个
18 一个
至-220
1
2
3
至-220fp
1
3
D
2
PAK
至-263
(后缀 “t4”)
1
2
3
内部的 图式 图解
绝对 最大 比率
(
•)
脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围. (1) i
SD
≤
30a, di/dt
≤
400a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
j
≤
T
JMAX
(2) 开始 t
j
= 25
o
c, i
D
= 15a, v
DD
= 30v
标识 参数 值 单位
STB30NF10
STP30NF10
STP30NF10FP
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
100 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
100 V
V
GS
门- 源 电压
± 20 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 25°c
35 18 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 100°c
25 13 一个
I
DM
(
•)
流 电流 (搏动) 140 72 一个
P
tot
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
115 30 W
减额 因素 0.77 0.2 w/°c
dv/dt
(1)
顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 28 v/ns
E
作
(2)
单独的 脉冲波 avalanche 活力 275 mJ
V
ISO
绝缘 承受 电压 (直流) ------ 2000 V
T
stg
存储 温度
-55 至 175 °C
T
j
运行 接合面 温度
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