sup/sub75n06-07l
vishay siliconix
文档 号码: 70776
s-05111—rev. f, 10-dec-00
www.vishay.com
2-1
n-频道 60-v (d-s) 175
c 场效应晶体管
V
(br)dss
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.0075 @ v
GS
= 10 v
一个
60
0.0085 @ v
GS
= 4.5 v
75
一个
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
至-220ab
顶 视图
GDS
流 连接 至 tab
至-263
SDG
顶 视图
sup75n06-07l
sub75n06-07l
参数 标识 限制 单位
门-源 电压 V
GS
20 V
持续的 流 电流
T
C
= 25
C 75
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
T
C
= 125
C
I
D
55
搏动 流 电流 I
DM
240
一个
avalanche 电流 I
AR
60
repetitive avalanche 活力
b
l = 0.1 mh E
AR
280 mJ
T
C
= 25
c (至-220ab 和 至-263) 250
c
电源 消耗
T
一个
= 25
c (至-263)
d
P
D
3.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
C
参数 标识 限制 单位
pcb 挂载 (至-263)
d
40
接合面-至-包围的
自由 空气 (至-220ab)
R
thJA
62.5
c/w
接合面-至-情况 R
thJC
0.6
注释
一个. 包装 限制.
b. 职责 循环
1%.
c. 看 soa 曲线 为 电压 减额.
d. 当 挂载 在 1” 正方形的 pcb (fr-4 材料).
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