半导体 组件 industries, llc, 2003
十一月, 2003 − rev. 5
1
发行 顺序 号码:
mmbta42lt1/d
mmbta42lt1,
MMBTA43LT1
mmbta42lt1 是 一个 preferred 设备
高 电压 晶体管
npn 硅
特性
•
pb−free 包装 将 是 有. 这 g−suffix denotes 一个
pb−free 含铅的 完成
最大 比率
比率 标识 MMBTA42 MMBTA43 单位
集电级 −发射级 电压 V
CEO
300 200 Vdc
集电级 −根基 电压 V
CBO
300 200 Vdc
发射级−根基 电压 V
EBO
6.0 6.0 Vdc
集电级 current−continuous I
C
500 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr−5 板 (便条 1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, junction−to−ambient R
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗
alumina 基质 (便条 2)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, junction−to−ambient R
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
−55 至
+150
°
C
1. fr−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 在.
2. alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 在. 99.5% alumina.
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
MMBTA42LT1 SOT−23
sot−23 (to−236)
情况 318
样式 6
3000/录音带 &放大; 卷轴
2
3
1
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
标记 图解
1d x
MMBTA42LT1
m1e x
MMBTA43LT1
MMBTA43LT1 SOT−23 3000/录音带 &放大; 卷轴
http://onsemi.com
1d, m1e = 明确的 设备 代号
X = 日期 代号
集电级
3
1
根基
2
发射级
MMBTA42LT1G SOT−23 3000/录音带 &放大; 卷轴
MMBTA43LT3 SOT−23 10000/录音带 &放大; 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
: 点此下载
