1999. 11. 16 1/2
半导体
技术的 数据
TIP117
外延的 planar pnp 晶体管
修订 非 : 1
大而单一的 构建 和 建造 在
根基-发射级 调往 电阻器 工业的 使用.
特性
高 直流 电流 增益.
: h
FE
=1000(最小值.),
V
CE
=-4v, i
C
=-1a.
低 集电级-发射级 饱和 电压.
complementary 至 tip112.
最大 比率 (ta=25
)
DIM 毫米
1. 根基
2. 集电级 (热温 下沉)
3. 发射级
至-220ab
10.30 最大值
15.30 最大值
0.80
Φ
3.60 0.20
3.00
6.70 最大值
13.60 0.50
5.60 最大值
0.50
1.50 最大值
2.54
4.70 最大值
2.60
一个
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
一个
E
MM
123
F
B
G
H
L
C
K
J
O
N
P
D
1.37 最大值
1.50 最大值
R
S
Q
C
T
q1.50
R 9.50 0.20
S 8.00 0.20
T 2.90 最大值
+
_
+
_
+
_
+
_
电的 特性 (ta=25
)
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压
V
CBO
-100 V
集电级-发射级 电压
V
CEO
-100 V
发射级-根基 电压
V
EBO
-5 V
集电级 电流
直流
I
C
-2
一个
脉冲波
I
CP
-4
根基 电流 直流
I
B
-50 毫安
集电级 电源
消耗
Ta=25
P
C
2
W
Tc=25
50
接合面 温度
T
j
150
存储 温度 范围
T
stg
-65
150
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截-止 电流
I
CEO
V
CE
=-50v, i
B
=0
- - -2
毫安
I
CBO
V
CB
=-100v, i
E
=0
- - -1
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
=-5v, i
C
=0
- - -2 毫安
直流 电流 增益
h
FE
V
CE
=-4v, i
C
=-1a
1000 - -
V
CE
=-4v, i
C
=-2a
500 - -
集电级-发射级 sustaining 电压
V
ceo(sus)
I
C
=-30ma, i
B
=0
-100 - - V
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
=-2a, i
B
=-8ma
- - -2.5 V
根基-发射级 在 电压
V
是(在)
V
CE
=-4v, i
C
=-2a
- - -2.8 V
集电级 输出 电容
C
ob
V
CB
=-10v, i
E
=0, f=0.1mhz
- - 200 pF
C
B
E
R
10k
Ω
0.6k
Ω
R
1
2
= =
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