tpc8105-h
2002-01-18
1
toshiba 地方 效应 晶体管 硅 p 频道 mos 类型 (高 速 u
−
mosii)
TPC8105
−
H
高 速 和 高 效率 直流
−
直流 转换器
lithium ion 电池 产品
notebook pcs
可携带的 设备 产品
小 footprint 预定的 至 小 和 薄的 包装
高 速 切换
小 门 承担 : qg = 32 nc (典型值.)
低 流
−
源 在 阻抗 : r
DS
(在)
= 20 m
Ω
(典型值.)
高 向前 转移 admittance : |y
fs
| =
1
2 s (典型值.)
低 泄漏 电流 : i
DSS
=
−1
0 µa (最大值) (v
DS
=
−
30 v)
增强
−
模式 : v
th
=
−
0.8~
−
2.0 v (v
DS
=
−1
0 v, i
D
=
−1
毫安)
最大 比率
(ta = 25°c)
特性 标识 比率 单位
流-源 电压
V
DSS
−
30 v
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
V
DGR
−
30 v
门-源 电压
V
GSS
±20 v
直流 (便条 1) I
D
−
7
流 电流
脉冲波 (便条 1) I
DP
−
28
一个
流 电源 消耗 (t = 10 s)
(便条 2a)
P
D
2.4 w
流 电源 消耗 (t = 10 s)
(便条 2b)
P
D
1.0 w
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(便条 3)
E
作
63.7 mj
avalanche 电流 I
AR
−
7 一个
repetitive avalanche 活力
(便条 2a) (便条 4)
E
AR
0.24 mj
频道 温度
T
ch
150 °c
存储 温度 范围
T
stg
−
55 至 150 °C
便条: 为 (便条 1), (便条 2), (note 3) 和 (note 4), 请 谈及 至 这
next 页.
这个 晶体管 是 一个 静电的 敏感的 设备. 请 handle 和
提醒.
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-6j1b
重量: 0.080 g (典型值.)
电路 配置
: 点此下载
