tps1101, tps1101y
单独的 p-频道 增强-模式 mosfets
slvs079c – 12月 1993 – 修订 8月 1995
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
低 r
ds(在)
. . . 0.09
Ω
典型值 在 v
GS
= –10 v
D
3 v 兼容
D
需要 非 外部 v
CC
D
ttl 和 cmos 兼容 输入
D
V
gs(th)
= –1.5 v 最大值
D
有 在 ultrathin tssop 包装 (pw)
D
静电释放 保护 向上 至 2 kv 每
mil-标准-883c, 方法 3015
描述
这 tps1101 是 一个 单独的, 低-r
ds(在)
, p-频道,
增强-模式 场效应晶体管. 这 设备 有
被 优化 为 3-v 或者 5-v 电源 分发
在 电池-powered 系统 用 意思 的 这
德州 器械 linbicmos
处理. 和 一个
最大 v
gs(th)
的 –1.5 v 和 一个 i
DSS
的 仅有的
0.5
µ
一个, 这 tps1101 是 这 完美的 高-一侧 转变
为 低-电压, 可携带的 电池-管理
系统 在哪里 maximizing 电池 生命 是 一个 primary
concern. 这 低 r
ds(在)
和 极好的 交流
特性 (上升 时间 5.5 ns 典型) 的 这
tps1101 制造 它 这 logical 选择 为
低-电压 切换 产品 此类 作 电源
switches 为 脉冲波-宽度-modulated (pwm)
控制者 或者 发动机/桥 驱动器.
这 ultrathin 薄的 shrink 小-外形 包装 或者
tssop (pw) 版本 合适的 在 height-restricted
places 在哪里 其它 p-频道 mosfets 不能.
这 大小 有利因素 是 特别 重要的 在哪里
板 height restrictions 做 不 准许 为 一个
小-外形 整体的 电路 (soic) 包装.
此类 产品 包含 notebook 计算机,
个人的 数字的 assistants (pdas), cellular
telephones, 和 pcmcia cards. 为 存在 设计, 这 d-packaged 版本 有 一个 引脚 一般 和 其它
p-频道 mosfets 在 soic 包装.
有 选项
packaged 设备
†
碎片 表格
T
J
小 外形
(d)
TSSOP
(pw)
碎片 表格
(y)
–40
°
c 至 150
°
C TPS1101D TPS1101PWLE TPS1101Y
†
这 d 包装 是 有 带子系紧 和 卷盘. 增加 一个 r 后缀 至 设备 类型 (e.g.,
tps1101dr). 这 pw 包装 是 仅有的 有 left-终止 带子系紧 和 卷盘 (表明 用
这 le 后缀 在 这 设备 类型; e.g., tps1101pwle). 这 碎片 表格 是 测试 在 25
°
c.
版权
1995, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
linbicmos 是 一个 商标 的 德州 器械 组成公司的.
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d 包装
(顶 视图)
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pw 包装
(顶 视图)
nc – 非 内部的 连接
d 包装
pw 包装
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