一个 d v 一个 n c e d s e m i c o n d u c t o r, i n c.
rev. 一个
7525 ethel avenue
•
北 hollywood, ca 91605
•
(818) 982-1200
•
传真 (818) 765-3004 1/1
规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
特性
T
C
= 25
O
C
标识
测试 情况 最小 典型 最大 单位
BV
CER
I
C
= 10 毫安 R
是
= 75
Ω
30
V
BV
CBO
I
C
= 20 毫安 65
V
BV
EBO
I
E
= 10 毫安 4.0
V
I
CER
V
CE
= 28 v R
是
= 75
Ω
10
毫安
h
FE
V
CE
= 10 v i
C
= 2.0 一个 30 120
---
G
p
V
CE
= 28 v I
cq
= 2x50 毫安 f = 860 mhz 8.5
dB
η
ηη
η
V
CE
= 28 v I
cq
= 2x50 毫安 f = 860 mhz 55
%
P
输出
V
CE
= 28 v I
cq
= 2x50 毫安 f = 860 mhz
1.0 db
压缩
(ref = 25 w)
100
W
函数的 tests 在 video (标准 黑色 水平的)
P
输出
V
CE
= 28 v I
cq
= 2x50 毫安 f = 860 mhz 125
W
P
输出
V
CE
= 32 v I
cq
= 2x25 毫安 f = 860 mhz 150
W
npn 硅 rf 电源 晶体管
TPV8100B
描述:
这
asi tpv8100b
是 设计 为
传输者 输出 stages covering
tv 带宽 iv 和 v, 运行 在 28 v.
特性 包含:
•
内部的 输入, 输出 相一致
•
一般 发射级 配置
•
金 metalization
•
发射级 ballasting
最大 比率
I
C
12 一个
V
CER
40 v r
是
= 10
Ω
P
DISS
215 w@ t
C
= 25
O
C
T
J
-65
O
c 至 +200
O
C
T
STG
-65
O
c 至 +150
O
C
θ
θθ
θ
JC
0.8
O
c/w
包装 样式 .438x.450 4lfl
1 = 集电级 #1 2 = 集电级
#2
3 = 根基 #1 4 = 根基 #2
5 = 发射级 情况 (一般)
TPV8100B
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