tsha650.
vishay telefunken
1 (6)
rev. 3, 20-将-99
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文档 号码 81022
gaalas infrared 发出 二极管 在 ø 5 mm (t–1
¾
)
包装
描述
这 tsha650. 序列 是 高 效率 infrared 发出-
ting 二极管 在 gaalas 在 gaalas 技术, 模塑的
在 一个 clear, untinted 塑料 包装.
在 comparison 和 这 标准 gaas 在 gaas
技术 这些 高 强烈 emitters 特性 关于
70 % radiant 电源 改进.
在 contrast 至 这 tsha550. 序列 含铅的 stand–offs 是
omitted.
特性
D
extra 高 radiant 电源
D
合适的 为 高 脉冲波 电流 运作
D
标准 t–1
¾
(ø 5 mm) 包装
D
leads formed 没有 stand–off
D
角度 的 half 强烈
ϕ
=
±
24
°
D
顶峰 wavelength
l
p
= 875 nm
D
高 可靠性
D
好的 谱的 相一致 至 si photodetectors
94 8389
产品
infrared 偏远的 控制 和 自由 空气 传递 系统 和 高 电源 和 comfortable 辐射 角度 re-
quirements 在 结合体 和 管脚 photodiodes 或者 phototransistors.
因为 的 这 减少 radiance absorption 在 glass 在 这 wavelength 的 875 nm, 这个 发射级 序列 是 也
合适的 为 系统 和 panes 在 这 传递 范围 在 发射级 和 探测器.
绝对 最大 比率
T
amb
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 值 单位
反转 电压 V
R
5 V
向前 电流 I
F
100 毫安
顶峰 向前 电流 t
p
/t = 0.5, t
p
= 100
m
s I
FM
200 毫安
surge 向前 电流 t
p
= 100
m
s I
FSM
2.5 一个
电源 消耗 P
V
210 mW
接合面 温度 T
j
100
°
C
运行 温度 范围 T
amb
–55...+100
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–55...+100
°
C
焊接 温度
t
x
5sec, 2 mm 从 情况
T
sd
260
°
C
热的 阻抗 接合面/包围的 R
thJA
350 k/w
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