1april 20, 2004
U62H256A
!
32768 x 8 位 静态的 cmos 内存
!
35 和 55 ns 进入 时间
!
一般 数据 输入 和
数据 输出
!
三-状态 输出
!
典型值 运行 供应 电流
35 ns: 45 毫安
55 ns: 30 毫安
!
备用物品 电流 < 50 µa 在 125 °c
!
ttl/cmos-兼容
!
电源 供应 电压 5 v
!
运行 温度 范围
-40 °c 至 85 °c
-40 °c 至 125 °c
!
qs 9000 质量 标准
!
静电释放 保护 > 2000 v
(mil 标准 883c m3015.7)
!
获得-向上 免除 >100 毫安
!
包装: sop28 (300/330 mil)
这 u62h256a 是 一个 静态的 内存
制造的 使用 一个 cmos pro-
cess 技术 和 这 following
运行 模式:
- 读 - 备用物品
- 写 - 数据 保持
这 记忆 排列 是 为基础 在 一个
6-晶体管 cell.
这 电路 是 使活动 用 这 fal-
ling 边缘 的 e
. 这 地址 和
控制 输入 打开 同时发生地.
符合 至 这 信息 的 w
和 g, 这 数据 输入, 或者 输出,
是 起作用的. 在 一个 读 循环, 这
数据 输出 是 使活动 用 这
下落 边缘 的 g
, afterwards 这
数据 文字 将 是 有 在 这
输出 dq0-dq7. 之后 这
地址 改变, 这 数据 输出
go 高-z 直到 这 新 信息
是 有. 这 数据 输出 有
非 preferred state. 这读 循环
是 finished 用 这 下落 边缘 的 w
,
或者 用 这 rising 边缘 的 e
, respec-
tively.
数据 保持 是 有保证的 向下
至 2 v. 和 这 例外 的 e
, 所有
输入 组成 的 也不 门, 所以
那 非 拉-向上/拉-向下 电阻器
是 必需的.
automotive 快 32k x 8 sram
管脚 配置
顶 视图
信号 名字 信号 描述
a0 - a14 地址 输入
dq0 - dq7 数据 在/输出
E
碎片 使能
G
输出 使能
W
写 使能
VCC 电源 供应 电压
VSS 地面
管脚 描述
1
A14
VCC28
2A12
W
27
4A6 A825
5A5 A924
3A7 A1326
6A4 A1123
7A3
G
22
8A2 A1021
12DQ1 DQ517
9A1
E
20
10
A0 DQ719
11DQ0 DQ618
13DQ2 DQ416
14VSS DQ315
SOP
特性 描述
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