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资料编号:668364
 
资料名称:U62H64SA35LG1
 
文件大小: 163.33K
   
说明
 
介绍:
AUTOMOTIVE FAST 8K X 8 SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
april 20, 2004 1
U62H64
这 u62h64 是 一个 静态的 内存 manu-
factured 使用 一个 cmos 处理
技术 和 这 下列的 ope-
比率 模式:
- 读 - 备用物品
- 写 - 数据 保持
这 记忆 排列 是 为基础 在 一个
6-晶体管 cell.
这 电路 是 使活动 用 这 rising
= l), 或者 这 下落
边缘 的 e1
(在 e2 = h). 这
地址 和 控制 输入 打开
同时发生地.
符合 至 这 信息 的 w
和 g, 这 数据 输入, 或者 输出,
是 起作用的. 在 一个 读 循环, 这
数据 输出 是 使活动 用 这
下落 边缘 的 g
, afterwards 这
数据 文字 读 将 是 有 在
这 输出 dq0 - dq7. 之后 这
地址 改变, 这 数据 输出
go 高-z 直到 这 新 读 infor-
mation 是 有. 这 数据 输出-
puts 有 非 preferred 状态. 如果 这
记忆 是 驱动 用 cmos 水平
在 这 起作用的 状态, 和 如果 那里 是 非
改变 的 这 地址, 数据 输入
和 控制 信号 w
或者 g, 这
运行 电流 (在 i
O
= 0 毫安)
drops 至 这 值 的 这 运行
电流 在 这 备用物品 模式. 这
读 循环 是 finished 用 这 下落
边缘 的 e2 或者 w
, 或者 用 这 rising
边缘 的 e1
, 各自.
数据 保持 是 有保证的 向下
至 2 v.
和 这 例外 的E1
和 e2,
所有 输入 组成 的 也不 门, 所以
那 非 拉-向上/拉-向下 电阻器
是 必需的. 这个 门 电路
准许 至 达到 低 电源
备用物品 (所需的)东西 用 触发
和 ttl-水平 too.
!
快 8192 x 8 位 静态的 cmos
内存
!
35 ns 进入 时间
!
双向的 数据 输入 和 数据
输出
!
三-状态 输出
!
数据 保持 模式 在 vcc > 2v
!
数据 保持 电流 在 2 v:
< 3 µa (k-类型)
< 50
µa (一个-类型)
!
备用物品 电流
< 5 µa (k-类型)
< 100 µa (一个-类型)
!
ttl/cmos-兼容
!
自动 减少 的 电源
消耗 在 长 读 或者 写
循环
!
电源 供应 电压 5 v
!
运行 温度 范围
-40 至 85 °c
-40 至 125
°
C
!
qs 9000 质量 标准
!
静电释放 保护 > 2000 v
(mil 标准 883c m3015.7)
!
获得-向上 免除 > 200 毫安
!
包装: sop28 (300 mil)
管脚 描述
信号 名字 信号 描述
a0 - a12 地址 输入
dq0 - dq7 数据 在/输出
E1
碎片 使能 1
E2
碎片 使能 2
G
输出 使能
W
写 使能
VCC 电源 供应 电压
VSS 地面
n.c.
不 连接
管脚 配置
1
n.c.
VCC
28
2
A12
W(我们)
27
4
A6
A8
25
5
A5
A9
24
3
A7
e2 (ce2)
26
6
A4
A11
23
7
A3
G(oe)
22
8
A2
A10
21
12
DQ1
DQ5
17
9
A1
E1(ce1)
20
10
A0
DQ7
19
11
DQ0
DQ6
18
13
DQ2
DQ4
16
14
VSS
DQ3
15
SOP
顶 视图
automotive 快 8k x 8 sram
特性 描述
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