半导体 组件 industries, llc, 2004
九月, 2004 − rev. 3
1
发行 顺序 号码:
vn2222ll/d
VN2222LL
preferred 设备
小 信号 场效应晶体管
150 mamps, 60 伏特
n−channel to−92
特性
•
pb−free 包装 是 available*
最大 比率
比率 标识 值 单位
流 −源 电压 V
DSS
60 Vdc
drain−gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
) V
DGR
60 Vdc
gate−source 电压
− 持续的
− non−repetitive (t
p
≤
50
s)
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
流 电流
− 持续的
− 搏动
I
D
I
DM
150
1000
mAdc
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
400
3.2
mW
mw/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−55 至
+150
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, junction−to−ambient R
JA
312.5
°
c/w
最大 含铅的 温度 为
焊接 目的, 1/16
″
从 情况
为 10 秒
T
L
300
°
C
*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy 和 焊接 详细信息, 请
下载 这 在 半导体 焊接 和 挂载 技巧
涉及 手工的, solderrm/d.
VN22
22LL
AYWW
D
G
TO−92
情况 29
样式 22
N−Channel
S
1
2
3
1
源
3
流
2
门
150 毫安, 60 v
R
ds(在)
= 7.5
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 2 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
一个 = 组装 location
Y = 年
WW = 工作 week
标记 图解
&放大; 管脚 分派
http://onsemi.com
: 点此下载
