M
®
july 2004 1/21
VNQ810M
四方形 频道 高 一侧 驱动器
■
cmos 兼容 输入
■
打开 流 状态 输出
■
在 状态 打开 加载 发现
■
止 状态 打开 加载 发现
■
短接 加载 保护
■
欠压 和 超（电）压
关闭
■
保护
相反
丧失 的 地面
■
非常 低 保卫-用 电流
■
反转 电池 保护 (**)
描述
这 vnq810m 是 一个 四方形 hsd formed 用
assembling 二 vnd810m 碎片 在 这 一样 所以-
28 包装. 这 vnd810m 是 一个 大而单一的 设备
制造 用 使用意法半导体 vipower m0-3
技术, 将 为 驱动 任何 kind 的 加载
和 一个 一侧 连接 至 地面.
起作用的 v
CC
管脚 电压 clamp 保护 这 设备
相反 低 活力 尖刺 (看 iso7637 瞬时
兼容性 表格). 起作用的 电流 限制
联合的 和 热的 关闭 和 自动
重新开始 保护 这 设备 相反 超载. 这
电流 限制 门槛 是 aimed 在 detecting
这 21w/12v 标准 bulb 作 一个 超载 故障.
这 设备 发现 打开 加载 情况 两个都 在 在
和 止 状态 . 输出 短接 至 v
CC
是 发现
在 这 止 状态. 设备 automatically 转变 止 在
情况 的 地面 管脚 disconnection.
类型 R
ds(在)
I
输出
V
CC
VNQ810M 150 m
Ω
(*) 0.6 一个 (*) 36 v
所以-28 (翻倍 island)
顺序 代号
包装 TUBE t&放大;r
所以-28
VNQ810M VNQ810M13TR
(*)
每 各自 频道
绝对 最大 比率
(**) 看 应用 图式 在 页 9
标识 参数 值 单位
V
CC
直流 供应 电压 41 V
- v
CC
反转 直流 供应 电压 -0.3 V
- i
地
直流 反转 地面 管脚 电流 -200 毫安
I
输出
直流 输出 电流 内部 限制 一个
- i
输出
反转 直流 输出 电流 -6 一个
I
在
直流 输入 电流 +/- 10 毫安
I
STAT
直流 状态 电流 +/- 10 毫安
V
静电释放
静电的 释放 (人 身体 模型: r=1.5k
Ω;
c=100pf)
- 输入
- 状态
- 输出
- v
CC
4000
4000
5000
5000
V
V
V
V
E
最大值
最大 切换 活力
(l=310mh; r
L
=0
Ω
; v
bat
=13.5v; t
jstart
=150ºc; i
L
=0.9a)
174 mJ
P
tot
电源 消耗 (每 island) 在 t
含铅的
=25°C 6.25 W
T
j
接合面 运行 温度 内部 限制 °C
T
stg
存储 温度 -55 至 150 °C
rev. 1
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