october 2003 1 文档 控制 # ml0008 rev 0.4
管脚 配置
V
CAP
一个
12
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
V
CCX
HSB
一个
8
一个
9
一个
11
G
W
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
一个
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - lcc
28 - 插件
28 - soic
管脚 names
一个
0
- 一个
12
地址 输入
DQ
0
-dq
7
数据 在/输出
E
碎片 使能
W
写 使能
G
输出 使能
HSB
硬件 store busy (i/o)
V
CCX
电源 (+ 5v)
V
CAP
电容
V
SS
地面
STK12C68
stk12c68-m smd#5962-94599
8k x 8
AutoStore
™nvSRAM
QuantumTrap
™
CMOS
nonvolatile 静态的 内存
特性
• 25ns, 35ns, 45ns 和 55ns 进入 时间
• “hands-off” 自动
STORE
和 外部
68
µ
f 电容 在 电源 向下
•
STORE
至 nonvolatile elements initiated 用
硬件, 软件 或者
AutoStore
™ 在 电源
向下
•
RECALL
至 sram initiated 用 软件 或者
电源 restore
• 10ma 典型 i
CC
在 200ns 循环 时间
• unlimited 读, 写 和
RECALL
循环
• 1,000,000
STORE
循环 至 nonvolatile ele-
ments (商业的/工业的)
• 100-年 数据 保持 在 nonvolatile ele-
ments (商业的/工业的)
• 商业的, 工业的 和 军队 tempera-
tures
• 28-管脚 soic, 插件 和 lcc 包装
描述
这 simtek stk12c68 是 一个 快 静态的
内存
和 一个
nonvolatile 元素 组成公司的 在 各自 静态的
记忆 cell. 这
SRAM
能 是 读 和 写 一个
unlimited 号码 的 时间s, 当 独立, 非-
易变的 数据 resides 在 nonvolatile elements. 数据
transfers 从 这
SRAM
至 这 nonvolatile elements
(这
STORE
运作) 能 引领 放置 automatically
在 电源 向下. 一个 68
µ
f 或者 大 电容 系 从
V
CAP
至 地面 guarantees 这
STORE
运作,
regardless 的 电源-向下 回转 比率 或者 丧失 的 电源
从 “hot swapping”. transfers 从 这 nonvolatile
elements 至 这
SRAM
(这
RECALL
运作) 引领
放置 automatically 在 restoration 的 电源. initia-
tion 的
STORE
和
RECALL
循环 能 也 是 软-
ware 控制 用 进去 明确的 读
sequences. 一个 硬件
STORE
将 是 initiated 和
这 hsb
管脚.
块 图解
column i/o
column dec
静态的 内存
排列
128 x 512
行 解码器
输入 缓存区
quantum trap
128 x 512
store/
RECALL
控制
STORE
RECALL
电源
控制
一个
5
一个
6
一个
9
一个
11
一个
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
软件
发现
一个
0
-
一个
12
G
E
W
一个
8
一个
7
一个
10
一个
3
一个
2
一个
0
一个
1
一个
4
V
CCX
V
CAP
HSB
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