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p-频道 电源 mos 场效应晶体管
产品
dmos 结构
notebook pcs
低 在-状态 阻抗 : 0.17
Ω
(最大值)
cellular 和 可携带的 phones
过激 高-速 切换
在 - 板 电源 供应
门 保护 二极管 建造-在
li - ion 电池 系统
sot - 89 包装
一般 描述
特性
这 xp162a12a6pr 是 一个 p-频道 电源 mos 场效应晶体管 和 低 在-状态
低 在-状态 阻抗 :
rds (在) = 0.17
Ω
( vgs = -4.5v )
阻抗 和 过激 高-速 切换 特性.
rds (在) = 0.3
Ω
( vgs = -2.5v )
因为 高-速 切换 是 可能, 这 ic 能 是 efficiently
过激 高-速 切换
设置 因此 节省 活力.
运算的 电压 :
-2.5v
在 顺序 至 计数器 静态的, 一个 门 保护 二极管 是 建造-在.
门 保护 二极管 建造-在
这 小 sot-89 包装 制造 高 密度 挂载 可能.
高 密度 挂载 :
sot - 89
管脚 配置
管脚 分派
管脚 numberpin 名字
G 门
D 流
S 源
相等的 电路 绝对 最大 比率
Ta=25
O
C
标识 比率 单位
Vdss -20 V
Vgss + 12 V
Id -2.5 一个
Idp -10 一个
Idr -2.5 一个
Pd 2 W
Tch 150
O
C
Tstg -55 至 150
O
C
p - 频道 mos 场效应晶体管
( 1 设备 建造-在 )
( 便条 ) : 当 执行 在 一个 陶瓷的 pcb
函数
2
参数
1
3
流 - 源 电压
门 - 源 电压
流 电流 (直流)
流 电流 (脉冲波)
存储 温度
反转 流 电流
持续的 频道
电源 消耗 (便条)
频道 温度
sot - 89 顶 视图
23
GD
1
S
123
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