1
) 挂载 在 p.c. 板 和 25 mm
2
铜 焊盘 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 25 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
2
) 测试 和 脉冲 t
p
= 20 ms – gemessen mit impulsen t
p
= 20 ms
3
) 这 zmm 1 是 一个 二极管 运作 在 向前. hence, 这 index 的 所有 参数 应当 是 “f” instead 的 “z”.
这 cathode, 表明 用 这 蓝 环绕 是 至 是 连接 至 这 负的 柱子.
消逝 zmm 1 ist eine 在 durchlaß betriebene si-二极管. daher ist bei allen kenn- und grenzwerten der index
“f” anstatt “z” zu setzten. 消逝 durch den blauen 环绕 gekennzeichnete kathode ist mit dem minuspol zu verbinden.
1
07.01.2003
zmm 1 … zmm 100 (500 mw)
表面 挂载 silizium-planar-齐纳-dioden
硅 planar 齐纳 二极管 für 消逝 oberflächenmontage
最大 电源 消耗 500 mw
maximale verlustleistung
名义上的 z-电压 1…100 v
nominale z-spannung
glass 情况 minimelf sod-80
glasgehäuse minimelf 做-213aa
重量 approx. – gewicht ca. 0.05 g
维度 / maße 在 mm
标准 包装 带子系紧 和 卷盘 看 页 18
标准 lieferform gegurtet auf rolle siehe seite 18
标准 齐纳 电压 容忍 是 graded至 这 国际的 e 24 (~5%) 标准.
其它 电压 容忍 和 高等级的 齐纳 电压 在 要求.
消逝 toleranz der 齐纳-spannung 是t 在 der 标准-ausführung gestuft nach der internationa-len
reihe e 24 (~5%). andere toleranzenoder höhere arbeitsspannungen auf anfrage.
最大 比率 和 特性 grenz- und
Kennwerte
电源 消耗 T
一个
= 25
CP
tot
500 mw
1
)
Verlustleistung
运行 接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
– 50...+175
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
– 50...+175
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气 R
thA
< 300 k/w
1
)
wärmewiderstand sperrschicht – umgebende luft
齐纳 电压 看 表格 在 next 页 – zener-spannungen siehe tabelle auf der nächsten seite
3.5
±0.1
1.45
0.3
±0.1
0.3
±0.1
Type
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