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UDZS11B
二极管
rev.一个 1/4
齐纳 二极管
UDZS11B
z
产品
z
外部 维度
(单位 : mm)
z
地带 大小 图示
(单位 : mm)
常量 电压 控制
z
特性
1) 紧凑的, 2-管脚 迷你-模型 类型 为 
高-密度 挂载. (umd2)
2) 高 可靠性.
3) 能 是 挂载 automatically, 
使用 碎片 mounter.
z
结构
rohm : umd2
jeita : sc-90/一个
电子元件工业联合会 : s0d-323
点 (年 week 工厂)
EX.  udzs3.6B
0.3±0.05
0.7±0.2
　　　
0.1
0.1±0.1
　　　
0.05
1.7±0.1
2.5±0.2
1.25±0.1
UMD2
2.1
0.8min.
0.9min.
z
构建
硅 外延的 planar
z
taping 规格
(单位 : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
1.40±0.1
4.0±0.1 φ1.05
2.75
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
0.3±0.1
1.0±0.1
2.8±0.1
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
标识 单位
Pm
Tj
℃
Tstg
℃
Topr
℃
限制
150
-55 至 +150
200
参数
W
ion 温度
存储 温度
ower 消耗
运行 温度 -55 至 +150
P
Junct

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UDZS11B 二极管 rev.一个 1/4 齐纳二极管 UDZS11B z 产品 z 外部维度 (单位 : mm) z 地带大小图示 (单位 : mm) 常量电压控制 z 特性 1) 紧凑的, 2-管脚迷你-模型类型为高-密度挂载. (umd2) 2) 高可靠性. 3) 能是挂载 automatically, 使用碎片 mounter. z 结构 rohm : umd2 jeita : sc-90/一个电子元件工业联合会 : s0d-323 点 (年 week 工厂) EX. udzs3.6B 0.3±0.05 0.7±0.2 　　　 0.1 0.1±0.1 　　　 0.05 1.7±0.1 2.5±0.2 1.25±0.1 UMD2 2.1 0.8min. 0.9min. z 构建硅外延的 planar z taping 规格 (单位 : mm) 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.55±0.05 1.40±0.1 4.0±0.1 φ1.05 2.75 3.5±0.05 1.75±0.1 8.0±0.2 0.3±0.1 1.0±0.1 2.8±0.1 z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) 标识单位 Pm Tj ℃ Tstg ℃ Topr ℃ 限制 150 -55 至 +150 200 参数 W ion 温度存储温度 ower 消耗运行温度 -55 至 +150 P Junct

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