1/57二月 2005
nand128-一个, nand256-一个
nand512-一个, nand01g-一个
128 mbit, 256 mbit, 512 mbit, 1 gbit (x8/x16)
528 字节/264 文字 页, 1.8v/3v, 与非 flash memories
特性 summary
■
高 密度 与非 flash memories
– 向上 至 1 gbit 记忆 排列
– 向上 至 32 mbit spare 范围
– 费用 有效的 解决方案 为 mass 存储
产品
■
与非 接口
– x8 或者 x16 总线 宽度
– 多路复用 地址/ 数据
– 引脚 兼容性 为 所有 densities
■
供应 电压
– 1.8v 设备: v
DD
= 1.7 至 1.95v
– 3.0v 设备: v
DD
= 2.7 至
3.6v
■
页 大小
– x8 设备: (512 + 16 spare) 字节
– x16 设备: (256 + 8 spare) words
■
块 大小
– x8 设备: (16k + 512 spare) 字节
– x16 设备: (8k + 256 spare) words
■
页 读 / 程序
– 随机的 进入: 12µs (最大值)
– sequential 进入: 50ns (最小值)
– 页 程序 时间: 200µs (典型值)
■
copy 后面的 程序 模式
– 快 页 copy 没有 外部 buffering
■
快 块 擦掉
– 块 擦掉 时间: 2ms (典型值)
■
状态 寄存器
■
电子的 signature
■
碎片 使能 ‘don’t 小心’ 选项
– 简单的 接口 和 微控制器
■
串行 号码 选项
■
硬件 数据 保护
– 程序/擦掉 锁 在 电源
transitions
图示 1. 包装
■
数据 integrity
– 100,000 程序/擦掉 循环
– 10 年 数据 保持
■
rohs 遵从
– 含铅的-自由 组件 是 一致的
和 这 rohs directive
■
开发 tools
– 错误 纠正 代号 软件 和
硬件 模型
– bad blocks 管理 和 wear
leveling algorithms
– 文件 系统 os native 涉及 软件
– 硬件 simulation 模型
tsop48 12 x 20mm
vfbga55 8 x 10 x 1mm
tfbga55 8 x 10 x 1.2mm
vfbga63 9 x 11 x 1mm
tfbga63 9 x 11 x 1.2mm
FBGA
usop48 12 x 17 x 0.65mm
: 点此下载
