1
特性
•
快 读 进入 时间 – 150 ns
•
自动 页 写 运作
–
内部的 地址 和 数据 latches 为 64 字节
•
快 写 循环 时间
–
页 写 循环 时间: 10 ms 最大
–
1 至 64-字节 页 写 运作
•
低 电源 消耗
–
40 毫安 起作用的 电流
–
100
µa cmos 备用物品 电流
•
硬件 和 软件 数据 保护
•
数据polling 和 toggle 位 为 终止 的 写 发现
•
高 可靠性 cmos 技术
–
忍耐力: 100,000 循环
–
数据 保持: 10 年
•
单独的 5v
±
10% 供应
•
cmos 和 ttl 兼容 输入 和 输出
•
电子元件工业联合会 批准 字节-宽 引脚
•
商业的 和 工业的 温度 范围
描述
这 at28c64b 是 一个 高-效能 用电气-可擦掉的 和 可编程序的 读
仅有的 记忆 (可擦可编程只读存储器). 它的 64k 的 记忆 是 有组织的 作 8,192 words 用 8 位.
制造的 和 atmel
’
s 先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供
进入 时间 至 150 ns 和 电源 消耗 的 just 220 mw. 当 这 设备 是
deselected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 100
µa.
64k (8k x 8)
并行的
可擦可编程只读存储器 和
页 写 和
软件 数据
保护
在28C64B
rev. 0270h
–
12/99
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a12 地址
CE
碎片 使能
OE
输出 使能
我们
写 使能
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
NC 非 连接
直流 Don
’
t 连接
pdip, soic
顶 视图
1
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3
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5
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10
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12
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28
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20
19
18
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16
15
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
i/o0
i/o1
i/o2
地
VCC
我们
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
i/o3
TSOP
至pView
1
2
3
4
5
6
7
8
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10
11
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20
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16
15
OE
A11
A9
A8
NC
我们
VCC
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A10
CE
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
i/o3
地
i/o2
i/o1
i/o0
A0
A1
A2
PLCC
顶 视图
便条: plcc 包装 管脚 1 和 17 是
DON
’
t 连接.
5
6
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9
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A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
i/o0
A8
A9
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NC
OE
A10
CE
i/o7
i/o6
4
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31
30
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19
20
i/o1
i/o2
地
直流
i/o3
i/o4
i/o5
A7
A12
NC
直流
VCC
我们
NC
(持续)
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