sot89 pnp 硅 planar
中等 电源 晶体管
公布 3 – 二月 1996
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complementary 类型 – bcx51 – bcx54
bcx52 – bcx55
bcx53 – bcx56
partmarking 详细信息 –
BCX51 – aa BCX52 – ae BCX53 – ah
bcx51-10 – 交流 bcx52-10 – ag bcx53-10 – ak
bcx51-16 – ad bcx52-16 – am bcx53-16 – al
绝对 最大 比率.
参数 SYMBOL BCX51 BCX52 BCX53 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
-45 -60 -100 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
-45 -60 -80 V
发射级-根基 电压 V
EBO
-5 V
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
-1.5 一个
持续的 集电级 电流 I
C
-1 一个
电源 消耗 在 t
amb
=25°C P
tot
1W
运行 和 存储 温度 范围 T
j
:t
stg
-65 至 +150 °C
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基 BCX53
损坏 bcx52
电压 BCX51
V
(br)cbo
-100
-60
-45
V
V
V
I
C
=-100
µ
一个
I
C
=-100
µ
一个
I
C
=-100
µ
一个
集电级-发射级 BCX53
损坏 bcx52
电压 BCX51
V
(br)ceo
-80
-60
-45
VI
C
=-10ma*
I
C
=-10ma*
I
C
=-10ma*
发射级-根基
损坏 电压
V
(br)ebo
-5 V
I
E
=-10
µ
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
-0.1
-20
µ
一个
µ
一个
V
CB
=-30v
V
CB
=-30v, t
amb
=150°C
发射级 截-止 电流 I
EBO
-20 nA V
EB
=-4v
集电级-发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
-0.5 V I
C
=-500ma, i
B
=-50ma*
根基-发射级
转变-在 电压
V
是(在)
-1.0 V I
C
=-500ma, v
CE
=-2v*
静态的 向前 电流
转移 比率
h
FE
-10
-16
25
40
25
63
100
250
160
250
I
C
=-5ma, v
CE
=-2v*
I
C
=-150ma, v
CE
=-2v*
I
C
=-500ma, v
CE
=-2v*
I
C
=-150ma, v
CE
=-2v*
I
C
=-150ma, v
CE
=-2v*
转变 频率 f
T
150 MHz I
C
=-50ma, v
CE
=-10v,
f=100MHz
输出 电容 C
obo
25 pF V
CB
=-10v, f=1mhz
*measured 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度=300
µ
s. 职责 循环
≤
2%
BCX51
BCX52
BCX53
C
C
B
E
SOT89
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