1
2-megabit
(256k x 8)
单独的 2.7-volt
电池-电压
™
flash 记忆
AT49BV002
AT49LV002
AT49BV002N
AT49LV002N
AT49BV002T
AT49LV002T
AT49BV002NT
AT49LV002NT
特性
•
单独的 供应 为 读 和 写: 2.7v 至 3.6 (bv), 3.0 至 3.6v (lv)
•
快 读 进入 时间 - 70 ns
•
内部的 程序 控制 和 计时器
•
sector architecture
– 一个 16k 字节 激励 块 和 程序编制 lockout
– 二 8k 字节 参数 blocks
– 二 主要的 记忆 blocks (96k, 128k) 字节
•
快 擦掉 循环 时间 - 10 秒
•
字节 用 字节 程序编制 - 30
µ
µµ
µ
s/字节 典型
•
硬件 数据 保护
•
数据polling 为 终止 的 程序 发现
•
低 电源 消耗
– 25 毫安 起作用的 电流
–50
µ
µµ
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
描述
这 at49bv/lv002(n)(t) 是 一个 3-volt-仅有的 在-系统 reprogrammable flash 记忆.
它的 2 megabits 的 记忆 是 有组织的 作 262,144 words 用 8 位. 制造的 和
atmel’s 先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供 进入 时间 至 70
ns 和 电源 消耗 的 just 90 mw 在 这 商业的 温度 范围.
当 这 设备 是 deselected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 50
µ
一个. 为 这
rev. 0982c–07/98
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a17 地址
CE
碎片 使能
OE
输出 使能
我们 写 使能
重置
重置
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
直流 don’t 连接
插件 顶 视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
*RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
i/o0
i/o1
i/o2
地
VCC
我们
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
i/o3
plcc 顶 视图
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
i/o0
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
i/o7
4
3
2
1
32
31
30
14
15
16
17
18
19
20
i/o1
i/o2
地
i/o3
i/o4
i/o5
i/o6
A12
A15
A16
RESET*
VCC
我们
A17
(持续)
vsop 顶 视图 (8 x 14 mm) 或者
tsop 顶 视图 (8 x 20 mm)
类型 1
1
2
3
4
5
6
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8
9
10
11
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14
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16
32
31
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27
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20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
A17
我们
VCC
*RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
OE
A10
CE
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
i/o3
地
i/o2
i/o1
i/o0
A0
A1
A2
A3
*note: 这个 管脚 是 一个 直流 在 这 at49bv002n(t) 和 at49lv002n(t).
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