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资料编号:818499
 
资料名称:CY7C291A-35WC
 
文件大小: 275K
   
说明
 
介绍:
2K x 8 Reprogrammable PROM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2k x 8 reprogrammable prom
CY7C291A
Cypress 半导体 公司
3901 第一 街道 San Jose ca 95134 408-943-2600
文档 #: 38-04011 rev. *a 修订 october 8, 2002
92A
特性
windowed 为 reprogrammability
cmos 为 最佳的 速/电源
高 速
20 ns (商业的)
35 ns (军队)
660 mw (商业的 和 军队)
低 备用物品 电源
220 mw (商业的 和 军队)
非易失存储器 技术 100% 可编程序的
slim 300-mil 或者 标准 600-mil 包装 有
5V
±
10% v
CC
, 商业的 和 军队
ttl-兼容 i/o
直接 替换 为 双极 proms
有能力 的 承受 >2001v 静态的 释放
函数的 描述
这 cy7c291a 是 一个 高-效能 2k-文字 用 8-位
cmos prom. 它 是 packaged 在 一个 300-mil 陶瓷的 包装
这个 将 是 配备 和 一个 erasure window; 当
exposed 至 uv 明亮的 这 prom 是 erased 和 能 然后 是
reprogrammed. 这 记忆 cells utilize proven 非易失存储器
floating-门 技术 和 字节-宽 intelligent
程序编制 algorithms.
这 cy7c291a 是 一个 plug-在 替换 为 双极 设备
和 提供 这 有利因素 的 更小的 电源, reprogrammability,
更好的 效能 和 程序编制 yield. 这 非易失存储器
cell 需要 仅有的 12.5v 为 这 supervoltage 和 低 电流
(所需的)东西 准许 为 gang 程序编制. 这 非易失存储器 cells
准许 为 各自 记忆 location 至 是 测试 100%, 作 各自
location 是 写 在, erased, 和 repeatedly exercised 较早的
至 封装. 各自 prom 是 也 测试 为 交流 perfor-
mance 至 保证 那 之后 客户 程序编制 这
产品 将 满足 直流 和 交流 规格 限制.
一个 读 是 accomplished 用 放置 一个 起作用的 低 信号 在
CS
1
, 和 起作用的 高 信号 在 cs
2
和 cs
3
. 这 内容
的 这 记忆 location addressed 用 这 地址 线条
(一个
0
一个
10
) 将 变为 有 在 这 输出 线条 (o
0
O
7
).
逻辑 图解 管脚 配置
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
O
2
O
1
O
0
程序-
MABLE
排列
multi-
PLEXER
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11 14
15
16
20
19
18
17
21
24
23
22
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
O
0
一个
7
O
3
V
CC
一个
8
一个
9
一个
10
O
7
O
6
O
5
O
4
CS
1
O
2
12 13
O
1
CS
3
CS
2
28
4
5
6
7
8
9
10
321 27
1314151617
26
25
24
23
22
21
20
11
12
19
一个
5
V
CC
一个
6
一个
7
O
3
O
1
O
0
18
O
4
O
5
NC
一个
0
一个
4
一个
3
一个
10
NC
一个
8
一个
9
NC
NC
CS
1
CS
2
O
7
O
6
一个
2
一个
1
CS
3
O
2
CS
1
CS
2
CS
3
电源
向下
7C293A
Window
插件
lcc/plcc (opaque 仅有的)
顶 视图
p view
地址
解码器
一个
0
一个
1
一个
2
一个
3
一个
4
一个
5
一个
6
一个
8
一个
9
一个
10
一个
7
COLUMN
地址
地址
7C291A
7C291A
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