www.irf.com 1
12/7/04
HEXFET
电源 场效应晶体管
V
DSS
R
ds(在)
最大值 Q
g
12V 8.5m
Ω
27nC
注释
通过
是 在 页 9
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 1.7
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)* ––– 40 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 110
热的 阻抗
绝对 最大 比率
标识 参数 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 12 V
V
GS
门-至-源 电压 ± 12 v
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 84
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 60
一个
I
DM
搏动 流 电流
320
P
D
@T
C
= 25°c 最大 电源 消耗 88 W
P
D
@T
C
= 100°c 最大 电源 消耗 44 W
直线的 减额 因素 0.59 mw/°c
T
J
, t
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 175 °C
产品
益处
过激-低 门 阻抗
非常 低 r
ds(在)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
高 频率 3.3v 和 5v 输入 要点-
的-加载 同步的 buck 转换器
电源 管理 为 netcom,
computing 和 可携带的 产品.
含铅的-自由
d-pak
i-pak
irlr3802 irlu3802
IRLR3802PbF
IRLU3802PbF
: 点此下载
