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资料编号:839877
 
资料名称:JANTX2N6353
 
文件大小: 55K
   
说明
 
介绍:
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号JANTX2N6353的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
技术的 数据
npn darlington 电源 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/472
设备 qualified 水平的
2N6350 2N6351 2N6352 2N6353
JAN
JANTX
JANTXV
最大 比率
比率 标识
2N6350
2N6352
2N6351
2N6353
单位
集电级-发射级电压
V
CER
80 150 Vdc
集电级-根基 电压
V
CBO
80 150 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
12
6.0
Vdc
Vdc
根基 电流 I
B
0.5 模数转换器
集电级 电流
I
C
5.0
10
(1)
模数转换器
模数转换器
2N6350
2N6351
2N6352
2N6353
总的 电源 消耗@ t
一个
= 25
0
C
@ t
C
= 100
0
C
P
T
1.0
(2)
5.0
(3)
2.0
(4)
25
(5)
W
W
运行 &放大; 存储 接合面 温度 范围
T
J
,
T
stg
-65 至 +200
0
C
热的 特性
特性 标识
2N6350
2N6351
2N6352
2N6353
单位
热的 阻抗, juncti--情况
R
θ
JC
20 4.0
0
c/w
1)应用 为 t
p
10 ms, 职责 循环
50%
2)减额 成直线地@5.72 mw/
0
C在之上T
一个
> 25
0
C
3)减额 成直线地@50 mw/
0
C在之上T
C
> 100
0
C
4)减额 成直线地@11.4 mw/
0
C在之上T
一个
> 25
0
C
5)减额 成直线地@250 mw/
0
C在之上T
C
> 100
0
C
2n6350, 2n6351
-33*
2n6352, 2n6353
-24*(至-213aa)
*see 附录 一个 为
包装 外形
电的 特性 (t
C
= 25
0
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 25 madc, r
B1E
= 2.2 k
, r
B2E
= 100
2n6350,2N6352
2n6351, 2n6353
V
(br)
CER
80
150
Vdc
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
120101
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