sn54lv126a, sn74lv126a
quadruple 总线 缓存区 门
和 3-状态 输出
sces131c – march 1998 – 修订 july 1998
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
EPIC
(增强-效能 implanted
cmos) 处理
D
典型 v
OLP
(输出 地面 bounce)
< 0.8 v 在 v
CC
, t
一个
= 25
°
C
D
典型 v
OHV
(输出 v
OH
undershoot)
> 2 v 在 v
CC
, t
一个
= 25
°
C
D
获得-向上 效能 超过 250 毫安 每
jesd 17
D
静电释放 保护 超过 2000 v 每
mil-标准-883, 方法 3015; 超过 200 v
使用 机器 模型 (c = 200 pf, r = 0)
D
包装 选项 包含 塑料
小-外形 (d, ns), shrink 小-外形
(db), 薄的 非常 小-外形 (dgv), 和
薄的 shrink 小-外形 (pw) 包装,
陶瓷的 flat (w) 包装, 碎片 carriers
(fk), 和 dips (j)
描述
这些 quadruple 总线 缓存区 门 是 设计
为 2-v 至 5.5-v v
CC
运作.
这 ’lv126a 设备 特性 独立 线条
驱动器 和 3-状态 输出. 各自 输出 是
无能 当 这 有关联的 输出-使能 (oe)
输入 是 低.
至 确保 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下, oe 应当 是 系 至 地 通过 一个
pulldown 电阻; 这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sourcing 能力 的 这
驱动器.
这 sn54lv126a 是 典型 为 运作 在 这 全部 军队 温度 范围 的 –55
°
c 至 125
°
c. 这
sn74lv126a 是 典型 为 运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
函数 表格
(各自 缓存区)
输入
输出
OE 一个
Y
H H H
H LL
LXZ
版权
1998, 德州 器械 组成公司的
除非 否则 指出 这个 文档 包含 生产
数据 信息 电流 作 的 发行 日期. 产品 遵从 至
规格 每 这 条款 的 德州 器械 标准 保用单.
生产 处理 做 不 必然地 包含 测试 的 所有
参数.
1
2
3
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5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
1OE
1A
1Y
2OE
2A
2Y
地
V
CC
4OE
4A
4Y
3OE
3A
3Y
SN54LV126A ...j 或者 w pACKAGE
SN74LV126A . . . d, db, dgv, ns, 或者 pw 包装
(顶 视图)
3212019
910111213
4
5
6
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8
18
17
16
15
14
4A
NC
4Y
NC
3OE
1Y
NC
2OE
NC
2A
1A
1OE
NC
3Y
3A
V
4OE
2Y
地
NC
SN54LV126A . . . fk 包装
(顶 视图)
CC
nc – 非 内部的 连接
epic 是 一个 商标 的 德州 器械 组成公司的.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
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