这个 数据 薄板 将 是 修订 用 subsequent 版本 ©2005 eon 硅 解决方案, inc.,www.essi.com.tw
或者 修改 预定的 至 改变在 技术的 规格.
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EN29LV400A
特性
EN29LV400A
4 megabit (512k x 8-位 / 256k x 16-位) flash 记忆
激励 sector flash 记忆, cmos 3.0 volt-仅有的
•
3v, 单独的 电源 供应 运作
- 全部 电压 范围: 2.7-3.6 volt 读 和 写
行动 为 电池-powered 产品.
- 管制 电压 范围: 3.0-3.6 volt 读
和 写 行动 为 兼容性 和
高 效能 3.3 volt 微处理器.
•
高 效能
- 进入 时间 作 快 作 45 ns
•
低 电源 消耗量 (典型 值 在 5
mhz)
- 7 毫安 典型 起作用的 读 电流
- 15 毫安 典型 程序/擦掉 电流
- 1
µ
一个 典型 备用物品 电流 (标准 进入
时间 至 起作用的 模式)
•
有伸缩性的 sector architecture:
- 一个 16 k-字节, 二 8 k-字节, 一个 32 k-字节,
和 七 64 k-字节 sectors (字节 模式)
- 一个 8 k-文字, 二 4 k-文字, 一个 16 k-文字
和 七 32 k-文字 sectors (文字 模式)
•
sector 保护:
- 硬件 locking 的 sectors 至 阻止
程序 或者 擦掉 行动 在里面 单独的
sectors
- additionally, temporary sector unprotect
准许 代号 改变 在 先前 锁
sectors.
•
高 效能 程序/擦掉 速
- 字节/文字 程序 时间: 8µs 典型
- sector 擦掉 时间: 500ms 典型
•
电子元件工业联合会 标准 embedded 擦掉 和
程序 algorithms
•
电子元件工业联合会 标准 data# polling 和 toggle
位 特性
•
单独的 sector 和 碎片 擦掉
•
sector unprotect 模式
•
擦掉 suspend / 重新开始 模式:
读 或者 程序 另一 sector 在
擦掉 suspend 模式
•
triple-metal 翻倍-poly triple-好 cmos
flash 技术
•
低 vcc 写 inhibit < 2.5v
•
最小 1,000k 程序/擦掉 忍耐力
循环
•
包装 选项
- 48-管脚 tsop (类型 1)
- 48-球 6mm x 8mm fbga
•
商业的 和 工业的 温度
范围
一般 描述
这 en29lv400a 是 一个 4-megabit, 用电气 eras能, 读/写 非-易变的 flash 记忆,
有组织的 作 524,288 字节 或者 256,144 words. 任何 用te 能 是 编写程序 典型地 在 8µs. 这
en29lv400a 特性 3.0v 电压 read 和 写 运作, 和 进入 时间 作 快 作 45ns 至
eliminate 这 需要 为 wait states 在高-效能 微处理器 系统.
这 en29lv400a 有 独立的 输出 使能 (oe#),碎片 使能 (ce#), 和 写 使能 (we#)
控制, 这个 eliminate 总线 内容ention issues. 这个 设备 是设计 至 准许 也 单独的
sector 或者 全部 碎片 擦掉 运作, 在哪里 each sector 能 是 individually 保护 相反
程序/擦掉 行动 或者 temporarily unprotected 至 擦掉 或者程序. 这 设备 能 支持
一个 最小 的 100k 程序/擦掉 循环 在 各自 sector.
rev. 一个, 公布 日期: 2005/01/07
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