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mrf281sr1 mrf281zr1
motorola rf 设备 数据
这 rf sub–micron 场效应晶体管 线条
n–channel enhancement–mode lateral mosfets
设计 为 数字的 和 相似物 cellular pcn 和 pcs 根基 station
产品 和 发生率 从 1000 至 2500 mhz. 典型 为
运作 类 一个 和 类 ab 在 26 伏特 在 商业的 和 工业的
产品.
•
指定 two–tone 效能 @ 1930 和 2000 mhz, 26 伏特
输出 电源 — 4 watts pep
电源 增益 — 11 db
效率 — 30%
交调 扭曲量 — –29 dbc
•
有能力 的 处理 10:1 vswr, @ 26 vdc,
2000 mhz, 4 watts cw 输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 large–signal 阻抗 参数
•
s–parameter 描绘 在 高 偏差 水平
•
有 在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每
12 mm, 7 inch 卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
±
20 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
20
0.115
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
5.74
°
c/w
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain–source 损坏 电压
(v
GS
= 0, i
D
= 10
µ
模数转换器)
V
(br)dss
65 74 — Vdc
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 28 vdc, v
GS
= 0)
I
DSS
— — 10
µ
模数转换器
gate–source 泄漏 电流
(v
GS
= 20 vdc, v
DS
= 0)
I
GSS
— — 1
µ
模数转换器
便条 –
提醒
– mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf281/d
半导体 技术的 数据
2000 mhz, 4 w, 26 v
lateral n–channel
BROADBAND
rf 电源 mosfets
情况 458b–03, 样式 1
(ni–200s)
(mrf281sr1)
情况 458c–03, 样式 1
(ni–200z)
(mrf281zr1)
motorola, 公司 2002
rev 3
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