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MT3S35T
1                                  2002-08-19
 toshiba 晶体管 硅 npn 外延的 planer 类型
MT3S35T
vco oscilletor 平台
uhf 低 噪音 放大器 应用
特性

低 噪音 图示 :nf=1.4db (@f=2ghz)

高 增益:|s21e|
2
=13.0db (@f=2ghz)
标记
最大 比率
(ta = 25°c)
特性 标识 比率 单位
集电级-根基 电压  V
CBO
8 v
集电级-发射级 电压 V
CEO
4.5 v
发射级-根基 电压 V
EBO
1.5

V
集电级-电流 i
C
24 毫安
根基-电流 i
B
12 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
100 mw
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
55~150 °c
单位: mm
TESM
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-1b1a
重量:0.0022g (典型值.)
3
1
2
q 2

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MT3S35T 1 2002-08-19 toshiba 晶体管硅 npn 外延的 planer 类型 MT3S35T vco oscilletor 平台 uhf 低噪音放大器应用特性  低噪音图示 :nf=1.4db (@f=2ghz)  高增益:\|s21e\| 2 =13.0db (@f=2ghz) 标记最大比率 (ta = 25°c) 特性标识比率单位集电级-根基电压 V CBO 8 v 集电级-发射级电压 V CEO 4.5 v 发射级-根基电压 V EBO 1.5  V 集电级-电流 i C 24 毫安根基-电流 i B 12 毫安集电级电源消耗 P C 100 mw 接合面温度 T j 150 °c 存储温度范围 T stg − 55~150 °c 单位: mm TESM 电子元件工业联合会 ― JEITA ― toshiba 2-1b1a 重量:0.0022g (典型值.) 3 1 2 q 2

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