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初步的 数据
12月 2001
这个 是 初步的 信息 在 一个 新 产品 now 在 开发 或者 undergoing evaluation. 详细信息 是 主题 至 改变 没有 注意.
PSD4235G2V
flash 在-系统 可编程序的 (isp) peripherals
为 16-位 mcus (3.3v 供应)
特性 summary
psd 提供 一个 整体的 解决方案 至 16-位 mcu
为基础 产品 那 包含 configurable
memories, pld 逻辑 和 i/o:
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双 bank flash memories
– 4 mbit 的 primary flash 记忆 (8 uniform
sectors, 32k x 16)
– 256 kbit secondary flash 记忆 和 4
sectors
– concurrent 运作: 读 从 一个 记忆
当 erasing 和 writing 这 其它
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64 kbit sram (电池 backed)
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pld 和 macrocells
– 在 3000 门 的 pld: cpld 和 dpld
– cpld 和 16 输出 macrocells (omcs) 和
24 输入 macrocells (imcs)
– dpld – 用户 定义 内部的 碎片 选择 de-
编码
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七 l/o 端口 和 52 i/o 管脚
– 52 individually configurable i/o 端口 管脚 那
能 是 使用 为 这 下列的 功能:
– mcu i/os
–pld i/os
– latched mcu 地址 输出
– 特定的 函数 l/os
– l/o 端口 将 是 配置 作 打开-流
输出
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在-系统 程序编制 (isp) 和 jtag
– 建造-在 jtag 一致的 串行 端口 准许 全部-
碎片 在-系统 programmability
– 效率高的 制造 准许 容易 产品
测试 和 程序编制
– 使用 低 费用 flashlink 缆索 和 pc
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页 寄存器
– 内部的 页 寄存器 那 能 是 使用 至 ex-
pand 这 微控制器 地址 空间 用 一个
因素 的 256
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可编程序的 电源 管理
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高 忍耐力:
– 100,000 擦掉/写 循环 的 flash 记忆
– 1,000 erasewrite 循环 的 pld
– 15 年 数据 保持
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单独的 供应 电压
– 3.3v ±10%
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记忆 速
– 90ns flash 记忆 和 sram 进入 时间
图示 1. 包装
tqfp80 (u)
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