july 1999 4-1
STK10C68
8k x 8 nvsram
QuantumTrap
™
CMOS
nonvolatile 静态的 内存
特性
•
20ns, 25ns, 35ns 和 45ns 进入 时间
•
STORE
至 可擦可编程只读存储器 initiated 用 硬件
•
RECALL
至 sram initiated 用 硬件 或者
电源 restore
•
自动
STORE
定时
•
10ma 典型 i
CC
在 200ns 循环 时间
•
unlimited 读, 写 和
RECALL
循环
•
1,000,000
STORE
循环 至 可擦可编程只读存储器
•
100-年 数据 保持 在 全部 工业的
温度 范围
•
商业的 和 工业的 温度
•
28-管脚 插件 和 soic 包装
描述
这 simtek stk10c68 是 一个 快 静态的
内存
和 一个 nonvol-
atile 用电气 可擦掉的
PROM
(
可擦可编程只读存储器
) 元素
组成公司的 在 各自 静态的 记忆 cell. 这
SRAM
能
是 读 和 写 一个 unlimited 号码 的 时间, 当
独立 nonvolatile 数据 resides 在
可擦可编程只读存储器
. 数据
将 容易地 是 transferred 从 这
SRAM
至 这
可擦可编程只读存储器
(这
STORE
运作
), 或者 从 这
可擦可编程只读存储器
至 这
SRAM
(这
RECALL
运作), 使用 这 ne管脚.
Transfers
从 这
可擦可编程只读存储器
至 这
SRAM
(这
RECALL
运作)
也 引领 放置 automatically 在 restoration 的 电源.
这 stk10c68 结合 这 高 效能 和 使容易
的 使用 的 一个 快
SRAM
和 nonvolatile 数据 integrity.
这 stk10c68 特性 工业-标准 引脚 为 非-
易变的
内存
s. mil-标准-883 和 标准 军队 绘制-
ing (
SMD
#5962-93056) 设备 是 也 有.
块 图解
column i/o
column dec
静态的 内存
排列
128 x 512
行 解码器
输入 缓存区
可擦可编程只读存储器 排列
128 x 512
store/
RECALL
控制
STORE
RECALL
一个
11
一个
7
一个
8
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
G
E
W
一个
6
一个
5
一个
3
一个
2
一个
0
一个
1
一个
10
一个
12
一个
9
NE
一个
4
管脚 names
一个
0
- 一个
12
地址 输入
W 写 使能
DQ
0
- dq
7
数据 在/输出
E 碎片 使能
G 输出 使能
NE nonvolatile 使能
V
CC
电源 (+ 5v)
V
SS
地面
管脚 配置
NE
一个
12
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
V
CC
NC
一个
8
一个
9
一个
11
G
W
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
一个
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - 300 pdip
28 - 300 cdip
28 - 350 soic
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