july 1999 4-41
管脚 配置
V
CAP
一个
12
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
V
CCX
HSB
一个
8
一个
9
一个
11
G
W
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
一个
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - 300 pdip
28 - 600 pdip
28 - 350 soic
28 - 300 cdip
管脚 names
一个
0
- 一个
12
地址 输入
DQ
0
-dq
7
数据 在/输出
E
碎片 使能
W
写 使能
G
输出 使能
HSB
硬件 store busy (i/o)
V
CCX
电源 (+ 5v)
V
CAP
电容
V
SS
地面
STK12C68
8k x 8
AutoStore
™ nvSRAM
QuantumTrap
™
CMOS
nonvolatile 静态的 内存
特性
•
20ns, 25ns, 35ns 和 45ns 进入 时间
•“
hands-止
”
自动
STORE
和 外部
68
µ
f 电容 在 电源 向下
•
STORE
至 可擦可编程只读存储器 initiated 用 硬件,
软件 或者
AutoStore
™
在 电源 向下
•
RECALL
至 sram initiated 用 软件 或者
电源 restore
•
10ma 典型 i
CC
在 200ns 循环 时间
•
unlimited 读, 写 和
RECALL
循环
•
1,000,000
STORE
循环 至 可擦可编程只读存储器
•
100-年 数据 保持 在 可擦可编程只读存储器
•
单独的 5v +
10% 运作
•
不 敏感的 至 电源 开关 ramp 比率
•
非 数据 丧失 从 undershoot
•
商业的 和 工业的 温度
•
28-管脚 soic 和 插件 包装
描述
这 simtek stk12c68 是 一个 快 静态的
内存
和 一个
nonvolatile, 用电气 可擦掉的
PROM
元素
组成公司的 在 各自 静态的 记忆 cell. 这
SRAM
能 是 读 和 写 一个 unlimited 号码 的
时间, 当 独立, nonvolatile 数据 resides 在
可擦可编程只读存储器
. 数据 transfers 从 这
SRAM
至 这
可擦可编程只读存储器
(这
STORE
运作) 能 引领 放置
automatically 在 电源 向下. 一个 68
µ
f 或者 大
电容 系 从 v
CAP
至 地面 guarantees 这
STORE
运作, regardless 的 电源-向下 回转
比率 或者 丧失 的 电源 从 “hot swapping”. transfers
从 这
可擦可编程只读存储器
至 这
SRAM
(这
RECALL
opera-
tion) 引领 放置 automatically 在 restoration 的
电源. initiation 的
STORE
和
RECALL
循环 能
也 是 软件 控制 用 进去 明确的 读
sequences. 一个 硬件
STORE
将 是 initiated 和
这 hsb
管脚.
块 图解
column i/o
column dec
静态的 内存
排列
128 x 512
行 解码器
输入 缓存区
可擦可编程只读存储器 排列
128 x 512
store/
RECALL
控制
STORE
RECALL
电源
控制
一个
5
一个
6
一个
9
一个
11
一个
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
软件
发现
一个
0
-
一个
12
G
E
W
一个
8
一个
7
一个
10
一个
3
一个
2
一个
0
一个
1
一个
4
V
CCX
V
CAP
HSB
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