8月 1998 5-35
STK15C88
32k x 8
AutoStore
™ nvSRAM
高 效能 cmos
nonvolatile 静态的 内存
特性
• nonvolatile 存储 没有 电池 问题
• 直接地 替代 32k x 8 静态的 内存, 电池
backed 内存 或者 可擦可编程只读存储器
• 25ns, 35ns 和 45ns 进入 时间
• store 至 可擦可编程只读存储器 initiated 用 软件 或者
AutoStore
™ 在 电源 向下
• recall 至 sram 用 软件 或者 电源 restore
• 15ma i
CC
在 200ns 循环 时间
• unlimited 读, 写 和 recall 循环
• 1,000,000 store 循环 至 可擦可编程只读存储器
• 100 年 数据 保持 在 全部 工业的
温度 范围
• 商业的 和 工业的 温度 范围
• 28 管脚 600 或者 300 mil pdip 和 350 mil soic
描述
这 simtek stk15c88 是 一个 快 静态的 内存 和 一个
nonvolatile, 用电气-可擦掉的 prom 元素
组成公司的 在 各自 静态的 记忆 cell. 这 sram
能 是 读 和 写 一个 unlimited 号码 的
时间, 当 独立, nonvolatile 数据 resides 在
可擦可编程只读存储器. 数据 transfers 从 这 sram 至 这
可擦可编程只读存储器 (这
STORE
运作) 能 引领 放置
automatically 在 电源 向下 使用 承担 贮存 在
系统 电容. transfers 从 这 可擦可编程只读存储器 至
这 sram (这
RECALL
运作) 引领 放置 自动-
matically 在 restoration 的 电源. initiation 的
store 和 recall 循环 能 也 是 控制
用 进去 控制 sequences 在 这 sram 输入.
块 图解
RECALL
store/
控制
控制
VCC
电源
013
AA
发现
软件
STORE
2
column i/o
1
输入 缓存区
一个
RECALL
DQ
一个
0
一个
column dec
DQ
105
9
AA
43
DQ
静态的 内存
3
4
一个
256 x 1024
一个
5
DQ
DQ
6
一个
7
行 解码器
2
DQ
一个
13
12
一个
11
一个
14
一个
DQ
256 x 1024
一个
8
排列
一个
0
可擦可编程只读存储器 排列
7
6
一个
1
DQ
W
E
G
管脚 names
一个
0
- 一个
14
地址 输入
W 写 使能
DQ
0
- dq
7
数据 在/输出
E 碎片 使能
G 输出 使能
V
CC
电源 (+5v)
V
SS
地面
26
20
24
27
19
18
15
22
25
23
16
17
21
28
DQ
DQ
4
DQ
3
E
7
DQ
DQ
6
5
一个
10
一个
一个
一个
一个
11
13
8
9
G
CC
V
14
3
2
一个
0
DQ
DQ
V
0
1
1
2
一个
SS
一个
DQ
一个
一个
一个
7
14
一个
一个
6
12
5
一个
一个
4
W
11
2
1
3
7
13
8
12
10
6
9
4
5
28 - 300 pdip
28 - 600 pdip
28 - 350 soic
28 - 300 soic
管脚 配置
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